全球大气重力波联测期间电离层扰动的台阵观测

本文利用武汉电离层观象台的加密频高图和三站Doppler图记录及新近提出的短波扰动反演方法,分析了1985年全球大气重力波联测(WAGS)期间10月18日这天白天的重力波扰动,发现在该日扰动中有两列不同形态的波列分别属于中尺度的内重力波和大尺度的导制重力波。本文还进一步估算了这两列重力波的水平传播参量,深入分析了它们的频谱结构的高度变化特征,发现了重力波功率谱谱峰的分裂和偏移等重要现象。本文结果表明,新的反演方法使电离层无线电汉诊断的简易短波实验系统,也能成为探测和研究重力波一类大尺度电离层动力过程的有效手段。     

流动注射化学发光免疫分析研究 Ⅱ.偶合反应测定HRP及其标记物

本文详细考查了壳质胺,多孔玻璃和粗孔硅胶作为流动注射免疫分析免疫反应器基质的可行性,在此基础上将HRP催化H_2Q_2氧化K_4Fe(CN)_6生成K_3Fe(CN)_6的反应,与H_2O_2和K_3Fe(CN)_6对luminol的共氧化化学发光反应相偶合首次提出了一种新的流动注射兔疫分析的最终检测手段,由于酶促反应与化学发光反应在检测系统的不同位置进行,因而这种方法克服了已报道的流动注射化学发光免疫分析不能协调酶催化和化学发光反应的最佳pH,底物与酶不能充分接触及载体对光的散射等缺点,具有灵敏度高、精密度好等优点,该方法测定HRP及其标记物检测限均可达f mol级,测定时间为1～2min,相对标准偏差为3.9%.     

Keggin结构多金属氧酸盐α-[SiWl2O40]^4-的从头算理论研究

采用从头算Hartree—Fock方法对具有Keggin结构的多金属氧酸盐离子α-[SiW12O40]^4-进行优化．以基态几何为基础，进行单激发组态相互作用(CIS)计算．结果表明，WO6单元形成扭曲的八面体，而SiO4部分仍具有准四面体结构；阴离子的4个三金属簇W2O13可容纳3～4个负电荷，从微观结构上揭示了杂多阴离子拥有大量负电荷仍能稳定的原因．     

阿片受点不可逆部分激剂A-α-CAO的药理研究

A-α-CAO对小鼠(icv)具有弱而短暂的镇痛作用并能拮抗吗啡(Mor)镇痛效应3—4d。未见A-α-CAO有成瘾倾向。小鼠输精管(MVD)试验表明A-α-CAO为阿片受点部分激剂,Ke为9×10~(-9)mol/L。保温时间较长或剂量较大,其拮抗效应经多次冲洗仍然存在,激剂作用亦不能被纳洛酮(N_x)翻转。A-α-CAO对豚鼠回肠纵肌(GPI)呈完全激剂效应,IC_(50)为5.7×10~(-10)mol/L,冲洗不能除去此种作用,但可被N_x翻转。在大鼠输精管(RVD)和兔输精管(RbVD)上A-α-CAO呈抗剂效应,pA_2值分别为7.5和7.6,作用也不易被冲洗除去。A-α-CAO可抑制~3H-依托啡(~3H-Etor)与小鼠脑勻浆P_2制备的特异给合,IC_(50)为3.2×10~(-9)mol/L,冲洗6次后A-α-CAO对~3H-Etor高亲合力结合的抑制仍达96％。     

槲皮素在氧化锆修饰玻碳电极上的伏安行为及检测

制备了氧化锆修饰的玻碳电极,采用示差脉冲伏安法和循环伏安法探究了槲皮素在该电极上的电化学行为。结果表明,制备的修饰电极在pH=7.00的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中对槲皮素的氧化还原具有明显的电催化作用。采用槲皮素的氧化峰电流作为分析信号。在浓度为2.5×10-8~5×10-5 mol/L的范围内,氧化峰电流和浓度成良好的线性关系,线性方程为ip（μA）=0.0825c-9.861 84,检出限为5.35×10-9 mol/L。     

有机硼酸类催化剂在有机合成中的应用

综述了有机硼酸类作为催化剂应用于有机合成反应中的最新研究进展, 重点介绍了所发现的各种有机硼酸催化剂在缩合反应、羧酸还原反应、Diels-Alder反应中的催化活性以及反应机理. 硼酸催化剂因具有催化效率高、反应条件温和、可重复使用等优点, 必将在有机合成催化领域中得到更广泛的应用.     

惯性技术中集成控制减振的研究

本文针对惯性技术对防振减振的高要求，提出采用集成控制减振，并通过数字仿真证实其有效性。分析了几种减振系统，其中以ＦＵＺＺＹ／ＰＩＤ串联控制集成减振系统性能最优。     

多层前馈模糊神经网络在儿童综合素质测评中的应用

运用对偶标度统计方法计算儿童发展调查问题中原始数据的变量权和样本得分,从而确定评价因素集.采用多层前馈模糊神经网络——FM LP实现对儿童个体综合素质的定量评价.     

Nonpolar a-plane light-emitting diode with an in-situ SiNx interlayer on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapour deposition

We report on the growth and fabrication of nonpolar a-plane light emitting diodes with an in-situ SiN_x interlayer grown between the undoped a-plane GaN buffer and Si-doped GaN layer. X-ray diffraction shows that the crystalline quality of the GaN buffer layer is greatly improved with the introduction of the SiN_x interlayer. The electrical properties are also improved. For example, electron mobility and sheet resistance are reduced from high resistance to 31.6 cm²/(V·s) and 460 Ω/口 respectively. Owing to the significant effect of the SiN_x interlayer, a-plane LEDs are realized. Electroluminescence of a nonpolar a-plane light-emitting diode with a wavelength of 488nm is demonstrated. The emission peak remains constant when the injection current increases to over 20 mA.     

旋转圆盘受均布压力作用时的摄动分析

本文对中心带轴匀速旋转圆盘在均布压力作用下的受力及变形问题进行了摄动分析，得到了受载条件为Ｊ＾２／ＪＨ＜＜１时，圆盘应力及形变的渐近解。其形变渐近解为Ｗｈｉｔａｋｅｒ函数形式比较表明，渐近解与Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ数值解有较好的一致性。