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1.
2.
Focusing Properties of Fractal Zone Plates with Variable Lacunarity:Experimental Studies Based on Liquid Crystal on Silicon
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The focusing properties of fractal zone plates (FZPs) with different structure parameters are studied experimentally. The axial irradiance of FZPs is deduced at n=4. The experimental results are in good agreement with the theoretical prediction. A method to fabricate FZPs with variable structure parameters is mentioned, and the liquid-crystal-on-silicon device is used to implement this experiment. The experimental results indicate that the focal depth of lower order FZPs is larger than that of higher order FZPs. 相似文献
3.
5.
<正>Cold ~(87)Rb atom's loading in an integrating sphere with diffuse light is analyzed theoretically and experimentally. The experimental results show that diffuse light cooling has the greatest efficiency to cool the most atoms when the red detuning between the frequencies of cooling light and atom transition is about 3.3r(Γis the natural linewidth,6.065 MHz).Theoretical analysis using rate equation and numerical calculations on the cold atom number and loading time agree with the experimental results.This integrating sphere cooling would be a novel method for cooling atoms and lead to a new and robust cold atom source for atomic clock. 相似文献
6.
利用高分辨快电子能量损失谱仪,采用高分辨的dipole(e,e)方法对氦原子的光学振子强度进行了研究.它避免了光学测量中的困难,提高了实验精度.在21~26 eV的能量损失范围内测量得到了氦的I1S→n1P中跃迁以及电离过程的光学振子强度谱,并在59~67eV和 69~74eV的能量损失范围内对氦的自电离共振过程的光学振子强度谱进行了研究,所得结果与前人的工作进行了比较. 相似文献
7.
8.
The Ramsey fringe contrast of a pulsed optically pumped cold atom clock is strongly affected by the transverse decay of the atomic sample. This letter calculates the Ramsey fringe with focus on transverse decay, and analyzes the Ramsey fringe contrast with different transverse decay rates. By fitting the experimental data, we obtain the transverse decay rate in a cold atom sample at an approximate value of 30.5 s1 , which is much smaller than that in a cell. 相似文献
9.
研究设计了一个有效的可扩展的二维刻槽离子芯片。为了减少激光在离子芯片表面的散射,使被囚禁离子更加稳定,并使激光容易控制和探测成行的被囚禁离子,在每两个平行的射频电极中间刻槽使冷却光和探测光路径可穿过芯片。把控制离子运动的直流电极跟射频电极分开,减轻了不同电压对被囚禁离子的干扰,改进了对离子的控制。用有限元分析的方法对芯片表面上方的电势分布做了计算模拟。模拟结果表明,在这种新型的刻槽可扩展芯片上可以生成一个可扩展的离子阱阵列。这种结构提供了一个新颖的刻槽二维平面离子芯片,被囚禁其上的线形离子阵列可用来进行大型的量子信息处理。 相似文献
10.
在入射电子能量 2 5 0 0eV下测量了He的 11S→ 2 1S ,2 1P ,31S和 31P的微分散射截面和广义振子强度 ,并与前人的实验和理论结果进行了比较 ,认为在此入射电子能量下一阶Born近似对此 4个跃迁成立. With electron impact energy of 2 500 eV and energy resolution of 85 meV, the differential cross sections and the generalized oscillator strengths of the excitations of 1 1S→2 1S, 2 1P, 3 1S and 3 1P of helium has been measured by electron energy loss spectroscopy . Comparing with previous experimental and theoretical results, it seems that the first Born approximation is valid for these excitations under such an electron impact energy. 相似文献