ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面

低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂直距离为 0 171nm .通过对该表面 10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射 (ATLEED)计算 ,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态 (surfacetermination)的混合比例为S1∶S2∶S3 =15∶15∶70 ,理论计算与实验I V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0 .16 5 ,RP=0 .142 ,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制     

Si(111)2×1表面重构及1×1畴影响的LEED计算

长期以来Si(111)2×1重构表面的原子结构是个没有完全解决的问题。通过低能电子衍射(LEED)的全动力学的仔细计算,我们分析了以前提出的各种模型,肯定了皱曲的π-建链模型。进一步调整了表面六层原子的位置,使理论计算与实验结果符合得更好。我们最佳的2×1结构的最主要特点是表面链的倾斜达0.44?。最后,我们的计算指出在Si(111)2×1表面中1×1畴的存在对结果产生重大的影响。 关键词：     

EFFECTS OF BANDGAP SHRINKAGE IN FEMTOSECOND ABSORPTION SATURATION MEASUREMENTS OF GaAs FILM

Using CPM dye laser and self-mode-locked Ti sapphire laser as pump-probe optical sources, the effects of bandfilling and bandgap shrinkage on the femtosecond absorption saturation spectra of GaAs film have been studied, For exciting photon energy of 1.97eV and carrier density of 1×10¹⁸cm^-3, an optical-induced absorption increase is observed and is attributed to bandgap shrinkage, The dependence of the absorption coefficient change on the carrier temperature and the carrier densities is discussed.     

张量低能电子衍射表面结构的自动搜寻：十年来表面结构研究的重要发展

低能电子衍射方法虽然是表面结构研究的有力工具，但由于是一种尝试－修正方法，用来研究复杂表面结构就很难得到确定的结果．经过近１０年来的努力，已经发展起来了张量低能电子衍射结构自动搜寻计算程序包，使研究工作效率得到极大提高．文章对此方法的框架作了简明的介绍     

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(√3*√3)R30o重构表面

关键词：     

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面

低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明,该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接,它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制.