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1.
《电磁学发展史》评介@曾清平¥空军雷达学院@王勇¥华中理工大学电子信息工程系《电磁学发展史》评介曾清平(空军雷达学院,武汉430010)王勇(华中理工大学电子信息工程系,武汉430074)《电磁学发展史》(修定版)是由宋德生先生和李国栋先生合编的,并于19... 相似文献
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This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
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利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
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8.
基于改进遗传算法的布局优化子问题 总被引:2,自引:0,他引:2
本针对子问题,构造了布局子问题(关于同构布局等价类)的改进遗传算法。将该算法应用于二维布局优化子问题,数值实验表明该算法能够在很好地保持图元的邻接关系的前提下找到子问题的最优解。由于布局优化问题可分解为有限个子问题,所以利用该算法可以找到整个布局优化问题的全局最优解。 相似文献
9.
提出了一种求解自治非线性常微分方程周期解的方法-谱展开法,它直接把解形式上写成Fourier级数,其频率和各谐波成份待定,而将原非线性微分方程问题变换成求解相应的非线性代数方程组,还以avn der Pol方程和神经元群平均场方程为例对该方法进行说明和讨论。 相似文献
10.
关于实Hilbert环 总被引:2,自引:2,他引:0
通过引进“强实Hilbert环”这一概念,本文证明了,一个环A是强实Hilbert环,当且仅当多项式环A[X]是实Hilbert环,当且仅当A[X]的每个实极大理想在A上的局限是实极大的,从而文献[1]中两个主要结果被否定.此外,本文还研究了所谓的“严格的实Hilbert环”,这类环对于半代数零点定理等方面的探讨更具应用意义. 相似文献