自离子辐照对兆伏注P+硅中二次缺陷的影响

用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注P⁺硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响.实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程.实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火之前辐照兆伏注P⁺硅样品，可以抑制二次缺陷的生成，但如果在退火之后辐照，则会得到相反效果.对此现象的物理原因进行了讨论.另外，还给出了Si⁺，P⁺在硅中形成二次缺陷带的临界剂量，并且对临界剂量与注入能量的关 关键词：     

FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析

掺N非晶金刚石Ta—C(N)薄膜是合成β—C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta—C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta—C：N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N／C原子比越高,最高可达31．1％。但同时sp^3键含量越低,并且合成Ta-C：N薄膜的速度越慢。     

强流重离子束在轴对称电场中的温度和能量展宽

本文研究带电粒子束在轴对称电场(包含束空间电荷平均场)中的温度和能量展宽,所得结果表明,在漂移区内,此种能量展宽与束电流成正比,与束的宏观流动速度成反比,因此,对于强流重离子束而言,此种能量展宽在总的能量展宽中将起重要的作用,若束能为20keV,束流为20mA,在漂移区中,¹H离子束的能量展宽为26.5eV,而相同条件下的¹²¹Sb离子束则为291.5eV,而且随束流增加线性上升,本文对束温度的研究结果表明,在漂移区中,束空间电荷效应使束温度增加。 关键词：