排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
本文从理论上分析了稳态和瞬态情况半导体自发发射光谱峰值与载流子在能带中的分布极大值之间的关系;载流子分布极大值位于带尾中的条件;载流子分布极大值在带尾中随注入水平变化的快慢与带尾形状以及载流子是否达到准平衡分布的关系。建立了从稳态和瞬态发射光谱的峰值移动规律定量地确定带尾态密度分布的新方法,并得出了在掺双性硅的GaAs,自发发光的瞬态过程中不存在准费米能级的重要结论。实验上系统地测量了掺有不同杂质、不同掺杂浓度和补偿度的GaAs同质结和异质结样品在不同注入水平下在300K和77K的稳态和瞬态时间分辨光谱。实验结果与理论预期相当符合,并据此探讨了带尾对发光瞬态响应时间的影响。 相似文献
2.
3.
用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品,并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究.用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置,结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移,蓝移量随温度的提高而增大.对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析,并与实验结果相比较,获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能.950℃,30s退火条件下,铝原子的扩散系数为6.6×10-16 相似文献
1