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LB膜中螺吡喃材料的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用LB技术制备螺吡喃有序分子膜,研究了气液界面上螺吡喃材料在不同成份和不同pH值亚相时的成膜行为,着重研究了螺吡喃在LB膜这个特殊介质环境中不同于溶液的光致变色机理和光学性质 相似文献
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在经典力学框架内和Seeger方程基础上,讨论了应变超晶格界面附近的位错动力学行为,指出了系统的非线性共振将导致位错的运动与堆积,并可能造成超晶格的分层或断裂.首先,引入阻尼项,在小振幅近似下,把描述一般位错运动的Seeger方程化为了超晶格系统的广义Duffing方程.利用多尺度法分析了系统的主共振、超共振和子共振,并找到了系统出现这三类共振的临界条件.结果表明,系统的临界条件与它的物理参数有关,只需适当调节这些参数就可以原则上避免共振的出现,保证了超晶格材料的完整性和性能的稳定性.
关键词:
位错动力学
应变超晶格
共振
分岔 相似文献
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Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction memories 下载免费PDF全文
La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications. 相似文献
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利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法合成Ln2Sn2O7:Er3+(Ln=La,Gd,Y)纳米晶。通过X射线衍射和场发射扫描电子显微镜测试了样品的晶体结构和形貌,同时对样品的上转换发光性能进行了测试。结果表明:在980 nm连续激发光的激发下,样品主要表现为绿光发射。发射中心在528,549 nm的绿光和672 nm处的红光发射分别对应Er3+离子的4S3/2→4I15/2、2H11/2→4I15/2和 4F9/2→4I15/2跃迁。以La2Sn2O7:Er3+纳米晶为例,Er3+离子的摩尔分数为7%、退火温度为1 150℃是其制备的最佳条件,此时其各个发射峰的强度最高。对La2Sn2O7:Er3+的发光强度与激发功率关系的研究表明,其绿光和红光发射均为双光子过程。激发光吸收和能量转移是La2Sn2O7:Er3+纳米晶上转换发光的主要机制。 相似文献
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纳米二氧化钛材料的相变和声子限制效应(英文) 总被引:1,自引:1,他引:0
拉曼光谱用于研究二氧化钛材料的相变和声子限制效应。化学溶液方法制备了TiO2纳米晶材料。其平均粒度为 6 8- 2 7 9nm。最低频率 1 5 2cm- 1 Eg 模随粒度减小出现蓝移和加宽。在声子限制模型下 ,理论上对不同粒度的TiO2 纳米晶 (6 8,1 0 3和 2 7 9nm)的频移和线宽进行计算 ,结果与实验吻合得很好。研究了TiO2 纳米晶锐钛矿 -金红石相变 ,其相变温度为 6 5 0 - 6 90℃ ,比体块TiO2 的相变温度 1 0 0 0℃低 ,表明了相变的尺寸效应 相似文献
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Temperature-Dependent Raman Spectrum of Hexagonal YMnO3 Films Synthesized by Chemical Solution Method 下载免费PDF全文
We study the temperature-dependent Raman spectrum of hexagonal YMnO3 films prepared by a chemical solution method. There are seven Raman peaks (3A1 + E1 + 4E2) of the film identified at room temperature. From the results of temperature dependence of the Raman spectrum, it is deduced that the YMnO3 film has a magnetic phase transition temperature of about 123K. The temperature variation phonon mode at 685cm^-1 shows an anomalous frequency variation near 123 K, suggesting either a more complex mechanism of spin-phonon coupling or strong mixing of phonon modes. The reason for the higher antiferromagnetic Néel temperature TN of the film than that of the bulk counterpart is also discussed. 相似文献
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用改进硬脂酸溶胶-凝胶法制备了量子顺电体La1/2Na1/2TiO3纳米晶,用差热-热重分析和X射线衍射测试了样品的晶化过程及物相结构,用FTIR和Raman光谱表征了其谱学特性. 相似文献