刚性衬底上铜铟硒纳米棒阵列的合成与表征

在覆盖有钨电极的硅衬底上利用多孔阳极氧化铝模板为生长掩膜电沉积合成垂直排列的铜铟硒纳米棒阵列. 多孔阳极氧化铝模板由阳极氧化磁控溅射制备的铝膜制成. 扫描电子显微镜结果表明,该纳米棒阵列结构致密,直径约100 nm长度约1μm,纵横比为10. X射线衍射、微区拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜结果表明,真空条件下450 oC退火处理的铜铟硒纳米棒是多晶纯相的黄铜矿结构的铜铟硒,在纳米棒轴向方向上有比较大的晶粒尺寸. 能量色散X射线光谱表明,铜铟硒纳米棒的化学组成接近InSe₂的化学计量比,由吸收光谱分析推算铜铟硒纳米棒带隙为0.96 eV.     

电沉积－退火工艺制备铜铟硒太阳能电池薄膜及表征

利用电沉积硒气氛下后续退火的工艺制备出了高结晶质量的铜铟硒薄膜．通过X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、紫外-可见-近红外光谱和阻抗谱技术对退火后的铜铟硒薄膜进行表征,结果表明530 oC硒化退火后的铜铟硒薄膜具有四方的黄铜矿晶体结构,晶粒尺寸达到微米量级,光学带隙为0.98 eV,经过KCN溶液去除表面高导电性的铜硒化合物后铜铟硒薄膜的载流子浓度在10¹⁶ cm^-3量级．利用硒化退火的铜铟硒薄膜作为光吸收层制备了结构为AZO/i-ZnO/CdS/CIS/Mo/glass的太阳能电池,在AM1.5光照条件下对其电流-电压特性测试后发现面积为0.2 cm²的电池可以达到0.96％的能量转换效率,并对限制电池效率的原因做出了初步的分析和讨论.     

气相色谱-质谱法测定苦瓜超临界CO_2流体萃取产物的挥发性成分

采用超临界CO2萃取法(SFE)从苦瓜中提取有效成分,萃取条件为:萃取釜压力25 MPa,温度42℃,萃取时间3 h,夹带剂无水乙醇用量20 mL。采用气相色谱-质谱法对其挥发性成分进行鉴定,用归一化法测定各组分的含量。色谱条件:HP-5MS石英毛细管柱(0.25 mm*30 m*0.25μm),柱温60℃,恒温1 m     

Metal Precursor Influence on Performance of CuIn1-xGaxSe2 Films

在镀有Mo的纳钙玻璃衬底上顺序溅射沉积CuGa/In/CuGa层,然后在真空下520 oC硒化40 min,制备成CIGS薄膜. 通 过调整预制层的底层和表层的溅射沉积CuGa层的厚度比,制备不同的CIGS薄膜. 通过X射线衍射谱、拉曼谱、电子能谱、平面和断面SEM的分析, 揭示出CIGS薄膜是黄铜矿相的结构, 晶粒0.5～2 μm,且由硒化CuGa/In/CuGa厚度比为7:20:3的金属预制层后的CIGS薄膜的结晶性最好. 拉曼光谱表明,没有In-Se二元化合物相和有序缺陷化合物相.     

比色法测定苦瓜总皂苷

用香草醛-高氯酸比色法测定苦瓜总皂苷。通过对比色条件进行优化得最佳条件：加热时间15min，加热温度60℃，显色剂用量0．7mL8％香草醛-冰乙酸。结果表明，该测定方法精密度高，在50min内显色稳定，加样回收率高，平均加样回收率为101．46％，RSD为1．19％n=3），且操作简单，对设备要求不高，是一种快速测定苦瓜总皂苷的好方法。     

超导磁场穿透深度的拟合简化计算

磁场穿透深度λ与温度T的变化关系一直是超导领域广泛关注的焦点之一,根据BCS理论得到的穿透深度公式虽然与实验符合得相当好,但数学形式比较复杂.本文以BCS理论得出的λ与T的关系曲线为基准,通过计算机拟合的方法,将二流体模型和London极限得出的两条曲线拟合为一条新的曲线,使其数学形式相对简单,同时物理内涵又比较清晰,而且新的曲线与根据BCS理论得到的曲线基本吻合,达到了合理简化λ(T)计算的目的.     

4P-羟甲基-2,6,7-三氧杂-1,4-二磷杂双环[2.2.2]氯化辛烷的合成及波谱研究

Verkade等[1]首次合成具有新颖结构的双环(亚)磷酸,并发现其分子为一高度对称的笼状结构,它的衍生物不仅具有很强的生物活性,而且具有独特的生理作用机制.     

山楂总黄酮的测定

利用聚酰胺吸附与NaNO2-Al（NO3）,显色相结合测定山楂总黄酮,通过对比色条件的优化,获得快速测定山楂总黄酮含量的方法。结果表明,该测定方法基本上消除了杂质的干扰,精密度高,在30min内显色稳定,重现性较好,平均加样回收率为99．9％,RSD=1．06％。     

柱前衍生高效液相色谱测定小儿复方氨基酸注射液中氨基酸

建立了高效液相色谱(HPLC)测定小儿复方氨基酸注射液中各种氨基酸含量的方法.采用Kromasil C18(250×4.6 mm,5 μm)色谱柱,以2,4-二硝基氟苯为衍生试剂,梯度洗脱.流动相A为乙腈∶水(50∶50,V/V),流动相B为0.04 mol/L的磷酸二氢钾溶液(pH=6.8);流速为1.0 mL/min;检测波长为360 nm.所测氨基酸的线性范围为0.008～0.2213 mg/mL,平均回收率在97.85%～102.86%之间.     

电沉积-退火工艺制备铜铟硒太阳能电池薄膜及表征

CuInSe₂ (CIS) films with good crystalline quality were synthesized by electrodeposition followed by annealing in Se vapor at 530 oC. The morphology, composition, crystal structure, optical and electrical properties of the CIS films were investigated by scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, UV-VIS-NIR spectroscopy, and admittance spectroscopy. The results revealed that the annealed CIS films had chalcopyrite structure and consisted of relatively large grains in the range of 500-1000 nm and single grain of films extend usually through the whole film thickness. The band gap of CIS films was 0.98 eV and carrier concentration was in the order of 10¹⁶ cm^-3 after etching the Cu-Se compounds on the film surface. Solar cells with the structure of AZO/i-ZnO/CdS/CIS/Mo/glass were fabricated. Current density vs. voltage test under standard reported condition showed the solar cells with an area of 0.2 cm² had a conversion efficiency of 0.96%. The underlying physics was also discussed.