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1.
3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi_4O_4S_3超导电性的影响
彭香连
尹训庆
冯振杰
黎杰
孙瑞
鲁波
康保娟
张金仓
《低温物理学报》
2014,(6)
文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S3的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.
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