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物理学
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1.
应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型
总被引:1,自引:0,他引:1
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刘红侠
尹湘坤
刘冰洁
郝跃
《物理学报》
2010,59(12):8877-8882
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
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