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1.
本文用三元相图及坐标变换的单纯优化法安排实验,测定铜(Ⅱ)-邻菲Luo啉(Phen)-铬天菁S(CAS)三元络合物组成。通过两种方法,不同算什么所得结果一致,络合比为3:3:2。 相似文献
2.
关于不等式的一点注记 总被引:1,自引:1,他引:0
在广义的H-空间中,建立一类不等式,所得的结果推广并统一了文[1],[2]中的某些结果。 相似文献
4.
关新民 《新疆大学学报(理工版)》2002,19(1):95-99
介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊--PD控制器,讨论了在SIMULINK环境下模糊-PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法,并给出仿真结果与结论。 相似文献
5.
定理 设四边形 ABCD的边 AB、BC、CD、DA与对角线 AC、BD的中点分别为 E、F、E′、F′、G、G′,△ BCD、△ CDA、△ DAB、△ ABC的重心分别为 A′、B′、C′、D′,则 AA′、BB′、CC′、DD′、EE′、FF′、GG′七线共点 .证明 如图 1 ,连结EF、FE′、E′ F′、F′ E,图 1则可得 EF ∥=12 AC,F′ E′∥=12 AC.即有 EF∥=F′ E′,故四边形 EFE′ F′是平行四边形 ,于是 EE′、FF′互相平分 .类似地 ,可证明 FF′、GG′互相平分 .故 EE′、FF′、GG′相交于它们的中点 .令 EE′的中点为 I,连结 EC、D… 相似文献
6.
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9.
文章讨论无界区域上GBBM方程的Cauchy问题,对方程的解进行了先验估计,并证明了在H1弱拓扑中整体吸引子的存在性. 相似文献
10.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献