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1.
We study the charge transport properties of the spin-selective Andreev reflection(SSAR)effect between a spin polarized scanning tunneling microscope(STM)tip and a Majorana zero mode(MZM).Considering both the MZM and the excited states,we calculate the conductance and the shot noise power of the noncollinear SSAR using scattering theory.We find that the excited states give rise to inside peaks.Moreover,we numerically calculate the shot noise power and the Fano factor of the SSAR effect.Our calculation shows that the shot noise power and the Fano factor are related to the angle between the spin polarization direction of the STM tip and that of the MZM,which provide additional characteristics to detect the MZM via SSAR.  相似文献   
2.
本文以日本Capal EX—731电子程序快门为例,用数学分析和计算程序,精确计算了其通光面积曲线S=f(θ),从而为快门的EV曲线理论计算和特性分析提供了可靠数据。本文提供的分析计算方法,对于计算复杂曲线工作边快门叶片的通光面积是十分有效的。  相似文献   
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