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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体.X射线衍射结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a—0.3867urn,c—1.2743urn.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,本电阻温度为12lK,抗磁转变温度为118K.对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理.研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成作品的超导电性的影响,结果表明该压力下HgBaCaCuO6+δ超导体的最佳合成温度为820~830℃. 相似文献
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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体。X射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a=0.3867nm,c=1.2743nm.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,零电阻温度为121K,抗磁转变温度为118K。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理,研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响,结果表明该压力下HaBa2C 相似文献
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