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1.
2.
TCDD的密度泛函理论研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用B3LYP/6-311G~(**)方法全优经计算22个四氯二苯并对二(左口右恶)英( 简称TCDD)分子,得到几何构型、总能量、标准熵、标准焓和标准自由能。将2, 3,7,8-TCDD的计算构型与X射线衍射实验测定值进行了比较。计算结果表明,总 能量、标准焓和标准自由能与氯原子量换位置的相关性很高(r > 0.997).1,3,6, 8-TCDD的总能量处自由能最低,即最稳定,以此参照,得到异构体的总能量的相对 稳定性顺序和自由能的相对稳定性顺序。1,3,7,9-TCDD的稳定性次之,1,3,7,8- TCDD居第三,将这二个顺序与焚烧炉产生的TCDD异构体和合成的异构体对的生成面 分比进行了比较,说明焚烧炉中产生的TCDD和合成的TCDD对的分布主要受热力学控 制。 相似文献
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魏荷月陈璐刘修芮杜一平 《理化检验(化学分册)》2018,(5):548-550
色素作为食品中常用的添加剂,近年来受到广泛关注。人工合成色素通常较天然色素色彩鲜艳、坚牢度大、稳定性强、价格低廉,所以有着广泛的应用[1]。柠檬黄是人工合成黄色素中具有代表性的一种,其为橙黄色均匀粉末,可溶于水,耐热性、耐光性等均好,被广泛用于饮料、固体食品中,但柠檬黄分子中含有苯环等结构,具有毒性,食品中最大使用量为100 mg·L-1[2]。因此,检测饮料中柠檬黄十分重要。 相似文献
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8.
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodetectors 下载免费PDF全文
This paper presents a theoretical study on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattices with different beryllium concentrations in the InAs layer of the active region. Dark current, resistance-area product, absorption coefficient and quantum efficiency characteristics are thoroughly examined. The superlattice is residually n-type and it becomes slightly p-type by varying beryllium-doping concentrations, which improves its electrical performances. The optical performances remain almost unaffected with relatively low p-doping levels and begin to deteriorate with increasing p-doping density. To make a compromise between the electrical and optical performances, the photodetector with a doping concentration of 3 × 1015 cm-3 in the active region is believed to have the best overall performances. 相似文献
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Electronic band structure of a type-II ’W’ quantum well calculated by an eight-band k·p model 下载免费PDF全文
In this paper, we present an investigation of type-II 'W' quantum wells for the InAs/Ga1-xInxSb/AlSb family, where 'W' denotes the conduction profile of the material. We focus our attention on using the eight-band k?p model to calculate the band structures within the framework of finite element method. For the sake of clarity, the simulation in this paper is simplified and based on only one period---AlSb/InAs/Ga1-xInxSb/InAs/AlSb. The obtained numerical results include the energy levels and wavefunctions of carriers. We discuss the variations of the electronic properties by changing several important parameters, such as the thickness of either InAs or Ga1-xInxSb layer and the alloy composition in Ga1-xInxSb separately. In the last part, in order to compare the eight-band k?p model, we recalculate the conduction bands of the 'W' structure using the one-band k?p model and then discuss the difference between the two results, showing that conduction bands are strongly coupled with valence bands in the narrow band gap structure. The in-plane energy dispersions, which illustrate the suppression of the Auger recombination process, are also obtained. 相似文献
10.
在用阿特武德機作實驗時,自銅錘被釋放開始(即自原上平台開始),至遊码落於中平台(即原帶孔平台)為止,是銅錘的有效行程(驗證速度定律時應以下平台為終點),但由於慣性的關係,銅錘至此不能立即停止,而恆以相當大的速度繼續下落,直至與下平台發生强烈的衝擊後始得蚔?這樣試驗起來極感不便,而且非常混亂,設若以鉗夾式釋放器代替原來的平台式釋放器,使銅錘的釋放和停止都受釋放裝置的控制,這樣原來的混亂现象即可完全避 相似文献