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1.
苹果蠹蛾(Laspeyresia pomonella)鳞翅目小卷蛾科,是世界上最严重的蛀果害虫之一.主要危害苹果、梨、海棠、杏等果树.苹果蠹蛾的原发生地为欧洲,在我国最早发现于新疆维吾尔自治区,曾被农业部和新疆维吾尔自治区列对内检疫对象,是当前重点防治的蛀果害虫之一[1].利用性诱剂防治害虫有不污染环境,维持生态平衡等优点.苹果蠹蛾的性信息素为:E,E-8,10-十二碳二烯-1-醇[2].该信号化合物同时又是大豆食心虫性信息素的重要中间体.我们根据Schlosser-Wittig反应,采用ω-溴代辛醇三苯基膦和E-2-丁烯醛(反式巴豆醛),在苯基锂-溴化锂存在下,立体选择性合成了苹果蠹蛾的性信息素,立体选择性可达98%以上.合成路线如图1. 相似文献
2.
从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14 MeV和2.5 MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。 相似文献
3.
超临界流体萃取气相色谱法测定鱼肉中的毒死蜱残留 总被引:23,自引:0,他引:23
建立了利用离线超临界CO2萃取气相色谱(SFE-GC)测定鱼肌肉中毒死蜱残留量的分析方法。超临界CO2萃取鱼肌肉中毒死蜱的适宜条件为:温度100℃,压力41.370MPa,CO2流量为1mL/min,动态萃取30min,静态萃取时间15min,调节剂甲醇(添加量0.5mL),收集液丙酮。最小检出量为0.01ng;添加回收率为77.3%~105.1%;相对标准偏差(RSD)为2.4%~15.4%,符合残留分析要求。全程分析时间小于2h。 相似文献
4.
提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.
关键词:
静电泄放
栅耦合
金属氧化物半导体场效应管
压焊块电容 相似文献
5.
以1,4-二羟基蒽醌为荧光团,叔丁基二甲基氯硅烷为识别基团,设计合成了新型氟离子探针分子1,4-二-(叔丁基-二甲基-硅氧基) 蒽醌(AQTB1),其结构经1H NMR, 13C NMR和MS(ESI)表征。采用FL和UV-Vis详细研究了响应时间、溶液pH值、干扰离子、氟离子浓度对探针AQTB1检测性能的影响。结果表明:探针AQTB1在pH=3~12的缓冲溶液中,实现了对氟离子的高效检测,并不受干扰离子影响。通过FL, IR和MS(ESI)对探针AQTB1检测机理进行研究,结果表明:加入氟离子后,探针分子中的Si-O键断裂,荧光较弱的AQTB1转化为荧光较强的1,4-二羟基蒽醌,实现氟离子的精确定量。实际样品分析实验中,3种不同水样中氟离子的加标回收率为88.0%~109.5%,相对标准偏差(RSD)低于8.5%。 相似文献
6.
7.
8.
The via interconnects are key components in ultra-large scale integrated circuits(ULSI).This paper deals with a new method to create single-walled carbon nanotubes(SWNTs) via interconnects using alternating dielectrophoresis(DEP).Carbon nanotubes are vertically assembled in the microscale via-holes successfully at room temperature under ambient condition.The electrical evaluation of the SWNT vias reveals that our DEP assembly technique is highly reliable and the success rate of assembly can be as high as 90%.We also propose and test possible approaches to reducing the contact resistance between CNT vias and metal electrodes. 相似文献
9.
In this paper,we investigate the performance of the bulk fin field effect transistor(FinFET) through a threedimensional(3D) full band Monte Carlo simulator with quantum correction.Several scattering mechanisms,such as the acoustic and optical phonon scattering,the ionized impurity scattering,the impact ionization scattering and the surface roughness scattering are considered in our simulator.The effects of the substrate bias and the surface roughness scattering near the Si/SiO2 interface on the performance of bulk FinFET are mainly discussed in our work.Our results show that the on-current of bulk FinFET is sensitive to the surface roughness and that we can reduce the substrate leakage current by modulating the substrate bias voltage. 相似文献
10.