全文获取类型
收费全文 | 52篇 |
免费 | 9篇 |
国内免费 | 22篇 |
专业分类
化学 | 48篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 1篇 |
数学 | 4篇 |
物理学 | 29篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 6篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
2000年 | 2篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 6篇 |
1993年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
排序方式: 共有83条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
研究了稀土氧化物Ce2O3在采用氟盐法制备铝合金用Al-Ti-C细化剂的作用,通过OM,XRD,SEM及EDAX等研究手段对细化剂的组织进行了研究。结果表明,稀土氧化物Ce2O3制备Al-Ti-C细化剂过程中,可以提高反应物氟钛酸钾与碳粉反应速度,在铝液中产生激烈的翻腾作用,从而在制备过程中对铝熔体产生强烈搅拌作用,这样可以不采用物理搅拌方法就能使合金中的组织分布均匀,此外通过环境扫描电镜(ESEM)观察发现,稀土氧化物Ce2O3反应后的稀土元素是一种强烈的表面活化元素,可以吸附在Al-Ti-C细化剂中的Al3Ti相上,形成新的稀土化合相[AlTiCe],并提高产生TiC粒子的反应速率,促进TiC粒子生成。 相似文献
3.
4.
5.
采用分离式霍普金森压杆(SHPB)试验方法对粗骨料取代率为0%、30%、50%和100%的再生混凝土进行冲击试验,研究了应力-应变关系曲线、动态抗压强度、动态弹性模量以及破坏形态受应变率影响的变化规律。试验表明,应力-应变关系曲线开始段呈线性关系,随应变率的增大,线性段斜率增大,持续范围扩大,峰值应力变大;峰值应力具有率敏性,随应变率增大,峰值应力不断增加,取代率对峰值应力的影响差别不明显;动态弹性模量也具有率敏性,呈正相关关系,取代率不同,其率敏性程度有所差异;随着应变率增大,试件破坏程度随之加剧,从完整无裂缝到瞬间崩裂成碎块。 相似文献
6.
7.
韩芳宋伟吕亚宁丁磊周典兵胡艳云 《理化检验(化学分册)》2017,(12):1432-1436
0.500 0g样品经硝酸3mL、过氧化氢2mL消解后,采用电感耦合等离子体质谱法同时测定样品溶液中Na、Mg、Ca、Al、Cu、Zn、Fe、Mn、Se、Pb、Cd、As、Hg和Cr的含量。采用0.5%(体积分数)硝酸的基体酸度增强分析元素的信号强度;在两次测试之间用100μg·L-1 Au-5%(体积分数)硝酸溶液清洗仪器,降低Hg的吸附效应;利用甲烷碰撞动态反应池技术消除了分析过程中的质谱干扰,选择Sc、Y、In、Bi为内标元素校正基体效应。14种元素的质量浓度在一定范围内与信号强度呈线性关系,检出限(3s)在0.003~0.039μg·L^(-1)之间。方法用于分析国家标准物质GBW 10027,各元素测定值与认定值相符,测定值的相对标准偏差(n=6)在1.6%~14%之间。 相似文献
8.
9.
为考察溢流孔结构几何参数及壁面电导率对液态锂流动的影响,通过数值模拟方法对不同尺寸、形状及壁面电导率的溢流孔中液态锂的流动进行了数值模拟。结果表明:溢流孔的截面宽度越小,其出口的速度分布越均匀,速度峰值也越小,但溢流孔进出口之间的压力降会显著增加;且随着壁面电导率增大,MHD压降也随之增大。对于圆形及椭圆形截面的溢流孔,其出口的速度分布远比矩形溢流孔均匀。另外,关于限制器热平衡的计算有助于保证限制器的安全稳定运行。结果对分配盒几何参数的设计、电磁泵及冷却系统的设计具有重要的指导意义。 相似文献
10.
The Effect of the Semiconductive Screen on Space Charge Suppression in Cross-Linked Polyethylene 下载免费PDF全文
The space charge distributions of cross-linked polyethylene (XLPE) with Borouge's BorlinkTM semiconductive screen type LE0550 and LE0595 from a pulsed electro-acoustic method are obtained. The contact interface morphology at the semiconductive screen and the structure of XLPE near the interface are characterized. The dielectric spectrum and the conductivity current of XLPE with the different semiconduetive electrodes are com- pared. The semiconduetive screen changes the structure and the dielectric characteristic of XLPE near the contact interface, which may be the main reason for space charge suppression in XLPE with Borouge's type LEO550 semiconduetive screen. 相似文献