硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析

对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合，采用Mathematica 4．2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比．计算结果表明，待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100：1和10：1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏，但两者权重不同，其中峰值波长的变化影响更为显著，是影响复色光颜色变化的主要因素．数值分析的结果表明，硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力．两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系，为器件合理设计提供了理论依据．     

A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect

In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail.     

思维如此活跃，“圆”来如此巧妙——一道模拟题的深入学习

<正>直线与圆是解析几何中简单的图形,可以从解析几何角度切入,还可以从平面几何角度切入,其可以涉及解析几何知识、平面几何知识、平面向量知识、解三角形知识以及三角函数、函数、不等式等相关知识,是新课标中充分体现"在知识点交汇处命题"的一大主阵地.由于其变化多端,形式多样,创新点多,难度适中,而且破解的思维方式多样,切入点灵活,因此成为历年高考、自主招生、各类竞赛命题中的基本考点和热点之一.     

基于离子液体修饰碳纳米管电极的碱性磷酸酶电化学检测

利用自制的离子液体修饰碳纳米管电极(CNTs-ILE),在对CNTs-ILE的特性及对碱性磷酸酶(AP)酶促反应的底物磷酸对硝基苯酯(PNPP)和产物对硝基苯酚(PNP)进行电化学研究的基础上,采用安培法对酶促反应进程实现了持续动态的检测.实验表明,CNTs-ILE的循环伏安特性优于传统玻碳电极,且它在检测PNP时呈现出良好的抗钝化特性.当AP浓度范围在1.0～100 U/L时,电流大小与AP的浓度呈良好的线性关系.本方法可快速检测AP浓度,检测时间在20 min内.CNTs-ILE具有良好的抗钝化、操作简单及制作成本低等特点,在碱性磷酸酶的检测领域中有望得到进一步发展.在传统ELISA基础上,利用CNTs-ILE对具体样本最终的AP酶促反应产物进行电化学检测,通过峰值电流大小确定抗原浓度,为检测以AP为标记酶的抗原和抗体提供了理论依据.     

P／I界面处理对a-Si：H柔性太阳能电池性能的影响

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.     

双臂套索冠醚双核铜(Ⅱ)配合物的磁性质研究

测定了双臂套索冠醚双核铜(Ⅰ)配合物[Cu₂L(OH)](ClO₄)₃Me₂CO(L=N,N'-二(8-喹啉甲基)-1,4,10,13-四氧-7,16-二氮环八环)的变温磁化率(4～300K),所加场强为5.O×10⁵A/m.拟合了变温磁化率数据,得到J=-279.cm^-1;加上分子场校正后,得J=-257.7cm^-1,Zj'=-30.1cm^-1.拟合结果表明,分子间存在反铁磁性交换作用,而分子内的磁交换(J＜500cm^-1)还未大到使其反铁磁性交换作用变为抗磁性.用自旋倾斜体系解释了其反常的χm-H图.晶体结构和Cu²⁺3d轨道的分析表明,磁交换作用是通过OH桥进行的.比较了另外2个类似的双核铜(Ⅰ)大环OH桥联配合物,得出了J值和轨道重叠之间的关系.     

考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解，提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件，并得出了精确的一维阈值电压模型，模拟结果与实验十分符合.在此基础上，基于准二维泊松方程，通过考虑短沟道效应和量子效应，建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计. 关键词： 阈值电压 量子效应 短沟道效应 高k栅介质     

WPS2000的化学公式编辑功能

对在化学化工领域工作的人来说,经常需要在论文或稿件中插入一些化学公式或结构式,而一般的文字处理软件如WORD等并不含有这样的功能,通常的做法是借助其他软件制作这些化学公式或结构式,并将其以图片的形式插入到WORD文档中,所借助的软件包括一些专业软件如ACD/Chem Sketch和Chem Windows或一些非专业软件如Corel Draw和3DS等。然而由于文字和图片需要在不同的环境下进行处理,因而延长了工作时问并增加了操作的复杂性。     

含氢键吡啶合钴(Ⅱ)配合物的晶体结构和磁交换作用

合成了含水配合物［Co(py)₄Cl₂］·H₂O。分析了其单晶结构并与已知的无水配合物Co(py)₄Cl₂作了比较。发现结晶水的存在使含水配合物晶胞及分子对称性下降,由4方晶系I4₁/acd空间群变为单斜晶系P2₁/n空间群。并且水分子通过氢键作用把［Co(py)₄Cl₂］联接成一维长链。用Curie-Weiss定律,零场分裂磁化率公式加分子场校正磁化率公式拟合变温磁化率数据,发现分子间存在弱的反铁磁性交换作用。用Fisher一维线性链模型磁化率公式拟合,得出其氢键链内交换常数约为-1.03K。