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1.
烧结温度对Ti3SiC2/SiC陶瓷材料性能的影响
解玉鹏
孙添鑫
徐俊
《大学物理实验》
2021,34(2):10-12
以微米级TiC粉和Si粉为主要原料,Al粉为烧结助剂,采用无压烧结工艺制备Ti3 SiC2/SiC陶瓷材料,研究了烧结温度对陶瓷材料显微结构及力学性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,Ti3 SiC2/SiC陶瓷材料的弯曲强度先提高后降低.烧结温度为1500℃的陶瓷材料力学性能最佳,其密度为4.88 g/cm-3.
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