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以小果博落回中分离的普罗托品为原料,对其十元氮杂环和苯环进行结构修饰,合成了12种衍生物,采用ESI-MS、~1H NMR和~(13)C NMR谱对其结构进行表征。以醚菌酯为阳性对照,采用菌丝生长速率法筛查了目标物在50μg·mL~(-1)时对12种常见植物病原真菌的体外抑制活性,发现大多数化合物对供试菌具有不同程度的抑制活性。其中,P4和P11的抗菌活性最好,两者对玉米弯孢病原菌的抑制活性高于醚菌酯,抑制率分别为47.78%和44.86%。由此可见,当普罗托品的14-位羰基被还原为羟基后,部分化合物的抑菌活性提高;将十元环转化为两个稠和的六元环后,关环产物的抑菌活性普遍增强。 相似文献
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研究了InGaN/GaN超晶格准备层的生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电特性和老化性能的影响。研究发现准备层生长温度较高的样品外量子效率高于准备层生长温度较低的样品。500 mA电流下老化1 000 h后,准备层生长温度较高的样品的光衰相对更大。老化前后100 K的电致发光光谱显示高温生长的样品老化后的空穴注入途径发生变化;老化后光衰大的样品非辐射复合中心增加的程度更大。荧光显微镜观察到两个样品老化前均出现大量暗斑,高温样品的颜色更深更黑,低温样品颜色则相对较浅且呈红色。老化后高温样品的暗斑数量有所增加,而低温样品数量变化不大,这可能也是导致超晶格温度高的样品光衰更大的原因之一。 相似文献
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