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1.
一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器
刘翌寒
曹伟
李绍娟
李洋
孙世闯
付凯
陈长清
张宝顺
《发光学报》
2015,36(10):1167-1170
通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分Al Ga N和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器在紫外波段263 nm处的响应度为5.9 m A/W,在近红外波段1.15μm处的响应度为0.67 m A/W,并且探测器的响应度均随着工作电压的增加而增大。
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