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基于电介质复折射率的实验数据,采用最小二乘法结合选取的代表频率拟合得到了电介质的介电谱解析表达式,可以得到电介质在全频段的光频常数和介电常数. 研究了三个典型液态电介质,水、乙醇和甲苯的介电谱. 在实验数据可以获取的频率范围内,采用解析表达式得到的光频常数与采用Kramers-Kronig转换得到的折射率实部和实验得到的折射率虚部吻合得很好. 基于介电谱解析表达式可以预测目前实验无法测量的区域的介电谱. 相似文献
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基于密度泛函理论,采用广义梯度近似法,研究了黄铜矿结构AgAlSe2在高压下的晶体结构、晶格动力学稳定性与电子结构.结果显示:在0 GPa时AgAlSe2的晶格参数与实验值吻合,在13.9 GPa附近,质量密度、Se-Ag键长、Se-Al键长、晶格常数a突然增大,相对晶胞体积V/V0、晶格常数c突然减小,声子谱出现虚频,结构变得不稳定,带隙发生突变,数值呈减小趋势.表明AgAlSe2晶体在13.9 GPa附近发生结构相变.该研究为AgAlSe2晶体在理论上所能承受的高压提供信息支撑. 相似文献
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基于电介质复折射率的实验数据,采用晟小二乘法结合选取的代表频率拟合得到了电介质的介电谱解析表达式,可以得到电介质在全频段的光频常数和介电常数.研究了三个典型液态电介质,水、乙醇和甲苯的介电谱.在实验数据可以获取的频率范围内,采用解析表达式得到的光频常数与采用Kramers—Kronig转换得到的折射率实部和实验得到的折射率虚部吻合得很好.基于介电谱解析表达式可以预测目前实验无法测量的区域的介电谱. 相似文献
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The structures and the phase transitions of ScH3 under high pressure are investigated using first-principles calculations. The calculated structural parameters at zero pressure agree well with the available experimental data. With increasing pressure, the transition sequence hcp (GdH3 -type)→ C2/m →fcc→hcp (YH3-type)→Cmcm of ScH3 is predicted first; the corresponding transition pressures at 0 K are 23 GPa, 25 GPa, 348 GPa, and 477 GPa, respectively. The C2/m symmetry structure is a possible candidate but not a good one as the intermediate state from hexagonal to cubic in ScH3 . On the other hand, via the analysis of the structures of hexagonal ScH2.9 , cubic ScH3 , and cubic ScH2 , we find that the repulsive interactions of H-H atoms must play an important role in the transition from hexagonal to cubic. 相似文献
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基于第一性原理的方法研究了本征α-Bi2O3、La掺杂、氧空位掺杂和共掺杂体系的电子结构与光学性质,以期获得性能比较优异的α-Bi2O3光催化材料。研究结果表明:掺杂后,体系结构变形较小,其中氧空位(VO)掺杂和La-VO共掺杂体系的禁带宽度价带和导带同时下移且在禁带中引入杂质能级,说明掺杂可以减小电子从价带激发到导带所需能量,有利于电子的跃迁。特别是相对于氧空位单掺杂,La-VO共掺杂使杂质能级向导带底靠近,这个倾向可能使该复合缺陷成为光生电子捕获中心的概率大于成为光生电子-空穴对复合中心的概率;同时,La-VO共掺杂导致导带底附近的能带弯曲的曲率增大即色散关系增强,从而降低了电子的有效质量,加速电子的运动,因此,La-VO共掺杂能大幅改善光生电子-空穴对的有效分离。另一方面La-VO共掺杂在显著扩展可见光吸收范围的同时,还极大地增强了可见光吸收强度。因此,La-V<... 相似文献
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