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1篇
专业分类
物理学
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出版年
2006年
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1
1.
Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究
总被引:21,自引:0,他引:21
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靳锡联
娄世云
孔德国
李蕴才
杜祖亮
《物理学报》
2006,55(9):4809-4815
采用第一性原理的超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明,Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现,Zn 4s态决定导带底的位置,Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.
关键词
: 密度泛函理论 赝势 Mg掺杂ZnO
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