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专业分类
物理学
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出版年
1996年
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1.
电极处势垒对新结构器件电子输运的影响
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陈立春
王向军
徐叙瑢
姚健铨
《物理学报》
1996,45(4):709-714
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电子注入数量和器件的发光亮度产生影响.通过拟合计算得到ZnO/SiO,ITO/SiO的界面势垒高度分别为0.51和1.87eV.
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