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Investigation of the growth process of Si nanowires using the vapour-liquid-solid mechanism 下载免费PDF全文
Silicon nanowires have been grown by the thermal decomposition of silane via the vapour-liquid-solid (VLS) mechanism. Three different stages of VLS growth (eutectic alloy formation, crystal nucleation and unidirectional growth) were studied separately using a scanning electron microscope and a high-resolution transmission electron microscope. Very short silicon nanowires prepared under particular conditions provide direct evidence of the VLS mechanism on a nanometre scale. Our results will be very helpful for the controllable synthesis of Si nanowires. 相似文献
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分子物理学教学改革初探 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了分子物理学教改的一些紧迫问题,介绍了在教学内容的现代化和结构体系的合理化等方面的尝试以及教学方法的探索。 相似文献
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用PECVD薄膜沉积方法,成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析,确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小,一般在25—45nm之间,且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数,光学带隙在173—178eV之间,和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1关键词: 相似文献
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