含氚废气净化系统研制

在中子发生器的运行过程中，会释放一定量的氚，为对使用中产生的含氚废尾气进行净化处理，必须研制—套废氚净化处理系统。该系统的研制包括工艺流程设计、流程中各主要反应器的设计及自动控制功能设计等方面。     

一种快速抽提微量成分的热逆流提取装置

液固萃取在化学实验及研究中常常遇到,索氏提取器是液团萃取普遍采用的装置,它具有简单、提取率高等特点,但采用索氏提取器从较大体积的固体样品中提取微量成分是很困难的。对于要求在较高温度下进行液固萃取也难于实现。为此我们设计了一种热逆流提取器,它不仅可满足上述要求,而且使萃取过程连续化。该装置主要由单口烧瓶、三颈烧瓶和热逆流提取器组成(图1)。     

X射线荧光光谱铝环-双层压片法测定土壤中常量和微量元素

本文提出用铝环-双层压片法制片,经验系数法校正吸收-增强效应,对少量土壤样品中的常量和微量元素进行了定量测定。取样量为500 mg,制样与测量精确度好于5%,用本法对标样的分析表明,分析值与推荐值基本一致,本法具有简单、快速、成本低的特点,适用于少量样品的分析。     

光梯度力与激光捕获

从电偶极子在非均匀电磁场中所受梯度力出发,用光的电磁理论和电解质小球的电偶极子模型,论述了介质小球在光场中所受光梯度力与光强梯度成正比,并以此来定量说明激光对介质小球的捕获原理.     

液-固色谱流动相体积分数层次结构模型与保留值的关系

用液-固色谱流动相"假定"的体积分数层次结构模型,可得到质点团溶解溶质时的体积分数,进而得到共溶剂中溶质的溶解度、固定相上的溶质吸附量,从而推导出多元流动相组成与溶质保留值的关系.如三元流动相与溶质保留值的关联式为:lnk'=φB3lnk'B3 φB2lnk'B2 φB1lnk'B1 φB1(φB20.5 φB30.5)ln(q)(外Ⅱ) φB30.5φB21.0φB11.5ln(q)(外Ⅰ),经实验数据拟合,本式较其他关联式略胜一筹.     

NPB表面形貌对OLED光电特性的影响

用原子力显微镜观察了沉积在不同温度基板上NPB表面形貌,发现NPB薄膜在室温下比较平坦的点状结构变为100℃时直径为0.2μm的岛状结构。为研究NPB表面形貌对OLED器件性能的影响,设计了结构为玻璃/ITO/NPB/Alq3/Al器件,比较了不同基板温度沉积的NPB薄膜对器件性能的影响。     

平衡范畴与半群的双序

研究范畴与半群通过幂等元双序建立的一种自然联系.对每个有幂等元的半群S,其幂等元生成的左、右主理想之集通过双序ω~e,ω~r自然确定两个有子对象、有像且每个包含都右可裂的范畴L(S),R(S),其中态射的性质与S中元素的富足性、正则性有自然对应.利用这个联系,我们定义了"平衡(富足、正规)范畴"概念.对任一平衡(富足、正规)范畴■,我们构造其"锥半群"■,证明■左富足(富足、正则),且每个平衡(富足、正规)范畴■都与某左富足(富足、正则)半群S的左主理想范畴L(S)(作为有子对象的范畴)同构.     

球面角锥棱镜非稳腔钕玻璃激光器

为了将虚共焦非稳腔输出光束质量高和角锥棱镜谐振腔具有免调试的优点结合到一起,提出了用球面角锥棱镜构成虚共焦非稳腔的方案。利用已有虚共焦非稳腔钕玻璃激光器,设计加工了一球面角锥棱镜非稳腔钕玻璃激光器。模拟计算了两谐振腔输出光束的模式分布,然后对两钕玻璃激光器进行了实验对比研究。结果表明:实验得到的模式分布与模拟计算结果相吻合,球面角锥棱镜非稳腔钕玻璃激光器与虚共焦非稳腔钕玻璃激光器分别获得了最大2176.9J和2340.6J的能量输出,二者的电光效率与束散基本相同,分别为4.3%,0.30mrad和4.6%,0.26mrad。     

Water-based processed and alkoxide-based processed indium oxide thin-film transistors at different annealing temperatures

In this study,indium oxide(In_2O_3) thin-film transistors(TFTs) are fabricated by two kinds of low temperature solution-processed technologies(Ta ≤ 300?C),i.e.,water-based(DIW-based) process and alkoxide-based(2-ME-based)process.The thickness values,crystallization properties,chemical structures,surface roughness values,and optical properties of In_2O_3 thin-films and the electrical characteristics of In_2O_3 TFTs are studied at different annealing temperatures.Thermal annealing at higher temperature leads to an increase in the saturation mobility(μsat) and a negative shift in the threshold voltage(VTH).The DIW-based processed In_2O_3-TFT annealed at 300?C exhibits excellent device performance,and one annealed at 200?C exhibits an acceptable μsat of 0.86 cm~2/V·s comparable to that of a-Si:H TFTs,whereas the 2-ME-based TFT annealed at 300?C exhibits an abundant μsat of 1.65 cm~2/Vs and one annealed at 200?C is inactive.The results are attributed to the fact that the DIW-based process induces a higher degree of oxidation and less defect states than the 2-ME-based process at the same temperature.The DIW-based process for fabricating the In_2O_3 TFT opens the way for the development of nontoxic,low-cost,and low-temperature oxide electronics.     

线性谐振子的非定态波函数

引入初坐标算符和初动量算符为线性谐振子的力学量完全集，求解薛定谔方程，可得到线性谐振子的两类非定态波函数。