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近年来研究发现,在高场及超高场磁共振成像(MRI)中,高介电材料在提高磁共振射频线圈性能,以及增强图像信噪比方面具有极大的应用潜力．当前高介电材料研究主要集中于其对磁共振图像信噪比的改善,但对于高介电材料几何结构,以及其对发射场分布均匀度影响的研究不多．本研究利用电磁仿真的方法定量分析了1.5T下,高介电材料几何结构对水模感兴趣区内发射效率均值和发射场B1+均匀度的影响．结果表明,高介电材料的几何结构对B1+均匀度会产生较大影响;比较了不同几何结构的高介电衬垫之后发现,加入四等分圆筒状高介电衬垫后,感兴趣区内发射效率提升最高,同时B1+均匀度也保持良好．该结果对高介电材料应用于MRI具有重要的参考价值． 相似文献
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