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基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg0.75Cd0.25Te 中的掺杂效应.结果表明B在Hg0.75Cd0.25Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的 Hg0.75Cd0.25Te材料中B稳定存在于六角间隙位置而非替位.此时,B形成容易激活的三级施主使材料表现为n型.另一种是在有Hg空位存在的Hg0.75Cd0.25Te中B更容易与Hg空位结合形成缺陷复合体,其束缚能达到了0.96 eV.这种复合体在Hg0.75Cd0.25Te材料中形成单施主也使材料表现为n型.考虑到辐照损伤形成的Hg空位受主,这种B与Hg空位的复合体是制约B离子在MCT中注入激活的一个重要因素. 相似文献
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