Bi2Te3的杂质微分凝对温差电性质的影响

在Bridgman法生长的P型和N型Bi₂Te₃等取向晶体中发现杂质微分凝次结构,对不同微分凝程度的Bi₂Te₃晶体的电导率、温差电动势率、热导率和霍尔系数在80—330°K温度范围内进行了测量,并分析了在有外场和温度梯度存在时载流子的输运性质,着重研究了杂质微分凝对温差电参数的影响,证实了增加晶体表观热导率的一种机构。     

Bi_2Te_3的杂质微分凝对温差电性质的影响

在Bridgman法生长的P型和N型Bi_2Te_3等取向晶体中发现杂质微分凝次结构,对不同微分凝程度的Bi_2Te_3晶体的电导率、温差电动势率、热导率和霍尔系数在80—330°K温度范围内进行了测量,并分析了在有外场和温度梯度存在时载流子的输运性质,着重研究了杂质微分凝对温差电参数的影响,证实了增加晶体表观热导率的一种机构。