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用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。 相似文献
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本文提出含多个深能级响应的光电容瞬态分析方法:在不考虑各能级之间电子、空穴跃迁的条件下,可出“多指数过程分离法”,将总的瞬态过程分离为各能级上指数型瞬态过程之和.运用这一方法,对lMeV(4×1015cm-2电子辐照GaP LED进行了定态和两种注入条件的瞬态光电容测量,观察到H1、H2、H3三个空穴能级(0.51、0.75、1.15eV)和E1、E2、E3、E4四个电予能级(0.68、0.84、0.89、1.01eV),并得到各能级的光离化截面谱.外量子效率及发射谱测量结果表明;电子辐照引入的深能级(H1-H3,E1-E4)表现出无辐射复合中心的性质. 相似文献
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稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制 总被引:2,自引:0,他引:2
用离子注入法对InP晶体实现高浓度稀土(RE)Er的掺杂,探索了优质材料的制作规律和条件。在低温(10-200K)测量了光致发光谱(PL),观测到Er的尖锐发光峰,其峰值波长1.538μm,其发光强度较大;研究了该材料的热退火行为,Er发光中心的形成和光激活过程;用Rutherford背散射谱(RBS)测量给出了热退火前后注Er-InP晶体中Er离子浓度的数值及深度分布;并对Er发光中心的组成和光 相似文献
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