Characterization of ZnO:AI films deposited by r.f.magnetron-sputtering at low temperature

Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates.     

SrHfO3和SrTiO3光学特性的第一性原理研究

用全电势线性缀加平面波法(FLAPW)计算了SrTiO3和SrHfO3的光学特性,即介电函数虚部ε2(ω)、光学吸收系数I(ω)和反射率R(ω).对它们光学特性进行了对比分析,给出了它们光学特性的差别,并进行了解释.计算的SrTiO3光学谱分别在4.4,7.4,8.3和23.6eV处出现峰值,且其在4.4eV处的峰值比较高而尖.计算结果与实验值符合得很好.     

退火温度对低温生长MgxZn1－xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出Mg_xZn_1-xO(x=0.16)薄膜，用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对Mg_xZn_1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示，Mg_xZn_1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，并且具有沿c轴的择优取向；随着退火温度的升高，(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大，(002)XRD峰半高宽(F 关键词： xZn_1-xO薄膜')" href="#">Mg_xZn_1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火     

Effects of barium on the nonlinear electrical characteristics and dielectric properties of SnO2-based varistors

The effects of barium on electrical and dielectric properties of the SnO_2·Co_2O_3·Ta_2O_5 varistor system sintered at 1250℃ for 60min were investigated. It is found that barium significantly improves the nonlinear properties. The breakdown electrical field increases from 378.0 to 2834.5V/mm, relative dielectric constant (at 1kHz) falls from 1206 to 161 and the resistivity (at 1kHz) rises from 60.3 to 1146.5kΩ·cm with an increase of BaCO_3 concentration from 0mol% to 1.00mol%. The sample with 1.00mol% barium has the best nonlinear electrical property and the highest nonlinear coefficient (α=29.2). A modified defect barrier model is introduced to illustrate the grain-boundary barrier formation of barium-doped SnO_{2}-based varistors.     

双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程

利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法研究了双阱结构含时量子 输运的微扰论.获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集，在此基础上，把双阱与左 右热库的相互作用作为微挠，获得了双阱结构一阶近似下的输运方程，并在绝热近似下提供 了一种用于研究量子输运过程中几何相因子(Berry相因子)的方法. 关键词： 含时量子输运 输运方程 不变量 几何相因子     

双奇核184Au中πi13/2⊙νi13/2转动带的结构特征研究

利用重离子熔合蒸发反应和在束γ谱学实验方法,研究了双奇核184?Au的高自旋态能级结构.扩展了基于πh9/2ν7/2–[514]和πi13/2νi13/22准粒子组态下的转动带能级纲图,建立了两个转动带之间以及πh9/2ν7/2-[514]带与基态的谱学连接.从而确定了πi13/2νi13/2带能级的自旋和宇称,证实了此转动带在低自旋区出现旋称反转.分析了πi13/2νi13/2带和相邻核转动带的准粒子顺排特征,指出此带的第一回弯以及相邻核转动带在低频观测到的顺排异常可能与h9/2质子顺排有关.     

基于MCM-41分子筛表面的镱离子印迹聚合物的制备及其性能

运用离子印迹技术,以3-氯丙基三乙氧基硅烷为锚定剂,将功能单体直链聚乙烯亚胺(PEI)接枝在MCM-41分子筛表面,选择镱离子作为模板离子,以环氧氯丙烷交联制备出基于MCM-41表面的镱离子印迹聚合物Yb(Ⅲ)-IIP-PEI/MCM-41,并以同样的方法制备非离子印迹聚合物(NIP-PEI/MCM-41)。 利用傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等技术手段对Yb³⁺印迹聚合物进行表征,采用静态吸附法确定了Yb(Ⅲ)-IIP-PEI/MCM-41对Yb³⁺的最佳吸附条件及选择性吸附性能。 结果表明,Yb(Ⅲ)-IIP-PEI/MCM-41和NIP-PEI/MCM-41的最大吸附量分别为229.93和99.27 mg/g;印迹材料对Yb³⁺的吸附符合Langmuir模型;吸附平衡在40 min的时候基本可以达到,可以利用准二级动力学模型来描述其吸附过程;Yb(Ⅲ)-IIP-PEI/MCM-41对Yb³⁺具有较强的选择性,同时也具有很好的重复使用性能。 成功地将MCM-41和离子印迹聚合物的优点结合起来,制备出一种对稀土Yb离子既有高吸附量又有高选择性的吸附材料,为进一步将其应用在处理实际废水,分离回收低浓度稀土废水中的稀土元素等方面打下了基础。     

均匀沉淀法制备Co(OH)2及其超电容特性

以氯化钴为原料、氨水(28wt%)为沉淀剂采用均匀沉淀法成功地合成了Co(OH)₂。X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)测试表明，表面活性剂Tween-80的加入使所制备的α-Co(OH)₂呈现出类似花朵的形貌;循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗和循环寿命等电化学测试表明，该材料的电化学性能也得到一定的提高，其单电极比电容可达到370 F·g^-1。     

大象无形,自然地发展数学核心素养——2021年福建中考数学试题分析与启示

分析2021年福建中考数学卷发现,该试卷设计层次分明,选拔功能较强,数学核心素养导向明显.在此导向下,教师应以学生为本,回归课本,引导学生自主探究,不断夯实学生的“四基”,为培养学生的数学核心素养打下坚实的基础;应重点开展好章末数学活动,发挥其主渠道作用,让数学核心素养不断孕育;应科学地开展生长型专题复习,让数学核心素养不断发展.     

新型特窗酸肼基衍生物的合成、杀菌及杀虫活性（英文）

设计合成了一系列新型3-乙酰基-4-肼基-5,5-二取代特窗酸和(E/Z)-3-(1-肼基亚乙基)-5,5-二取代2,4-呋喃二酮衍生物,意外得到4个5-甲基吡唑-4-羧酸甲酯,它们的结构经过HR-ESI-MS, 1H NMR, 13C NMR和X射线衍射的表征.这些肼基与氨基衍生物的生物活性测试结果表明,部分化合物显示出对测试植物病原菌中等至优异的杀菌活性.如在400μg/m L浓度时化合物5G,5H,5I和5i对炭疽病菌有100%的活体抑制活性,化合物5G对霜霉病菌、白粉病菌和锈病病菌的活体抑制活性均为100%.在600μg/m L浓度时化合物5b, 5E和6F对小菜蛾,化合物6A, 6g和6H对桃蚜以及化合物6b对朱砂叶螨的死亡率均为100%. 5,5-螺环己基可以显著提高特窗酸衍生物的杀菌活性,取代肼基的引入可以获得更高的杀虫杀螨活性.化合物5G和5i是最有潜力作为研发新型杀菌剂进行结构修饰的先导化合物.