AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应

本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进行了比较,符合较好。 关键词：     

金属-半导体比接触电阻的圆环结构测试法

本文中提出了一种测量金属-半导体欧姆接触比接触电阻的新方法-圆环结构测试法。导出了适用于半无限大和有一定厚度的半导体材料的比接触电阻表达式,用此方法进行实验测量和计算,所得结果与文献结果符合得很好。 关键词：     

GaAs及其它半导体欧姆接触模型

n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρ_c与有源层浓度N_D有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρ_c应由两部分ρ_(c1)和ρ_(c2)组成。ρ_(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有 关键词：