亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100 nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100 nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考. 关键词： 亚100nm 应变Si/SiGe nMOSFET 二维表面势 阈值电压     

抽签前后的概率问题

例现有3张入场券,然而10个同学都想去看,协商之后决定抽签碰运气.(1)抽签前顺序安排与中签的概率有没有关系?(2)开始抽签后,各人中签的概率是否相同?解(1)显然,第二人中签的概率与第一个抽签人的抽签结果有关.但是在抽签之前安排抽签顺序时,第二个人中签的概率必然要综合考虑第一个中签或不中签两种情况,这就是全概率.P(A2)=P(A1)P(A2 A1) P(A1)P(A2 A1)=310·29 710·39=2790=310,结果P(A2)=P(A1).同样地分析,可知P(A10)=P(A9)=…=P(A1).(2)开始抽签之后,后抽的人中签的概率与前面人中签与否的结果有关,这是条件概率.设Ai={第i个…     

小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考. 关键词： 应变硅 准二维表面势 栅隧穿电流 预测模型