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Bi2223/Ag超导带的电阻率ρ-T曲线研究 总被引:5,自引:1,他引:4
电阻率ρ(T)是影响超导材料失超传播性能的一个很重要的材料参数.本文主要对Bi2223/Ag高温超导多芯带材的电阻率ρ随温度T的变化关系曲线进行测量并得到了有意义的实验结果.同时也得到了超导带材的临界温度.通过测量的ρ-T曲线,我们分析了Bi2223/Ag超导多芯带从超导态向完全正常态的转变过程中,传输电流在带材内部超导芯与基体银之间的分配情况以及ρ-T曲线的形状.这对研究高温超导带材失超传播特性以及失超传播过程的有限元分析都有着重要的实际意义. 相似文献
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采用改进的瓦特计技术,研究了在77K和低场范围内单芯和多芯Bi2223/Ag超导带的背景场损耗(包括表面损耗、磁滞损耗和耦合损耗)和在交变外磁场下的穿透电压与磁场响应特性.最小磁场小于1×10-4T.单芯带材和大块超导体的损耗一致,在整个磁场范围内损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.1,损耗主要是磁滞损耗.从单芯带材的损耗曲线我们得到了Bi2223相的Hc1≈6×10-4T.对于多芯带材而言,损耗由磁滞损耗和耦合损耗组成,耦合损耗起主要作用,损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.7, 损耗包括磁滞损耗和耦合损耗,耦合损耗占主要部分.在磁场小于1×10-4T的低场下,单芯和多芯带材损耗研究结果目前还未见报道.研究了超导体中穿透电压和外磁场的响应关系,给出了穿透电压和外磁场的关系曲线,结合超导体中的磁化强度变化过程对曲线给出了合理的解释. 相似文献
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