Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线

采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线.通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si3N4纳米线的形貌和组分进行表征与分析.TEM和SEM分析显示合成的α-Si3N4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si3N4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制.α-Si3N4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能.     

耦合方式下直流蒸汽发生器流动与换热数值模拟

通过对一、二次侧和传热管的流动换热过程分别建立控制方程,对BW公司设计的直流蒸汽发生器一、二回路耦合作用下的实际工作过程进行了数值预测.结果表明:本文采用的一、二次侧及传热管模型和耦合方法能够较为准确地预测直流蒸汽发生器的实际运行过程.蒸干发生时二次侧壁温变化率为几十K/m,而定热流密度下高达几百K/m.一、二次侧压力沿各自流动方向分别近似线性和非线性降低。