利用发光磁效应研究同分异构体mCBP和CBP作为给体的激基复合物器件的微观过程

本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL).发现室温下m CBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing, ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与m CBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当m CBP:PO-T2T质...     

纯红荧烯器件中极化子对的系间窜越与高能三重态激子的反向系间窜越过程“消失”的原因

有机发光二极管(OLEDs)中电致发光磁效应(MEL)是一种能够揭示多种激发态微观过程的探测工具.最新研究成果(Tang X T, Pan R H, Zhao X, Jia W Y, Wang Y, Ma C H 2020 Adv. Funct. Mater. 5 765)表明:将低浓度的红荧烯(Rubrene)分子掺杂在一定主体作为发光层的OLEDs中,存在一种高能三重态激子(T_2,Rub)的反向系间窜越过程(HL-RISC, S_1,Rub←T_2,Rub).但本文发现:以Rubrene作为纯发光层且其两边的载流子传输层也不存在T_2,Rub激子的能量损失通道的OLEDs中,在室温下只观察到单重态激子(S1)的分裂过程(S₁+S₀→T₁+T₁),却没能观察到该T_2,Rub激子的HL-RISC过程;而且,最基本的因电子和空穴在纯Rubrene发光层中直接注入形成极化子对(polaron-pair...