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物理学
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2017年
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1.
基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
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吴全潭
时拓
赵晓龙
张续猛
伍法才
曹荣荣
龙世兵
吕杭炳
刘琦
刘明
《物理学报》
2017,66(21):217304-217304
报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
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