氧、碳杂质对B1结构氮化钒薄膜的Tc和电阻率ρ(T)的影响

我们对几种典型的溅射B1结构VN_x薄膜进行了T_c和电阻率ρ(T)的测量(从Tconset到300K)。以X-射线衍射术、Auger和XPS技术对这些样品进行了分析。实验结果表明,T_c和ρ(T)随膜的厚度和膜中所含氧、碳等杂质而变化。我们认为,氧在膜中所起的作用可能是阻碍VN_x的B_1结构的形成,造成结构中多空位的情况,压低T_c,并导致电子的跳跃式导电。     

Bl结构MoN_x薄膜的制备及物理性能研究

我们对以反应性溅射法制备的MoN_x薄膜测量了超导转变温度T_c,电阻率ρ(T)(从T_c起始到300K)。用X射线衍射技术、卢瑟福背散射(RBS)、俄歇谱仪和X射线光电子能谱(XPS)技术对这些样品进行了分析。实验结果表明T_c和ρ(T)随N含量改变而变化。当样品是B1结构时,T_c小于4.2K,而且样品内还有过量的N存在。俄歇分析表明,样品内有O,C杂质存在。这些因素都可能导致T_c很低,ρ(T)呈负的温度系数。     

Bl结构MoNx薄膜的制备及物理性能研究

我们对以反应性溅射法制备的MoN_x薄膜测量了超导转变温度T_c,电阻率ρ(T)(从T_c起始到300K)。用X射线衍射技术、卢瑟福背散射(RBS)、俄歇谱仪和X射线光电子能谱(XPS)技术对这些样品进行了分析。实验结果表明T_c和ρ(T)随N含量改变而变化。当样品是B1结构时,T_c小于4.2K,而且样品内还有过量的N存在。俄歇分析表明,样品内有O,C杂质存在。这些因素都可能导致T_c很低,ρ(T)呈负的温度系数。 关键词：