聚甲基丙烯酸－对－甲氧基偶氮苯氧己基酯的 液晶及光响应行为

合成并表征了侧链液晶高分子聚甲基丙烯酸－对－甲氧基偶氮苯氧己基酯（PMAAZO6）, 在不同条件下对其进行了光响应测试. 发现紫外光易诱导体系发生相转变;增加辐照光波长有利于分子发生整体取向. 不同温度下的光响应测试表明, 样品处于玻璃化转变温度之下是保持分子取向的前提.     

《物理》再次被列入中文物理学类核心期刊

2000年6月,北京大学出版社出版了《中文核心期刊要目总览》2000年版(即第三版),该书确定了30种中文物理学类核心期刊,《物理》名列其中. 此次中文核心期刊的重新研制筛选,被列为“国家教委人文科学研究‘九五’规划项目”.研制者认真总结前两次研制工作的经验,依据文献计量学的原理和方法,检索、计算和分析了大量国内外相关文献,对核心期刊的理论和方法进行了深入地研究和探讨,力求使研制方法更加科学合理.并采用了中国科学院文献情报中心、中国社会科学院文献信息中心、上海图书馆、中国人民大学书报资料中心及西南信息中心等单位编制的文献数据库作为统计工具,经过严格的筛选,并请学科专家鉴定,从我国正在出版的近万种中文期刊中确定了1568种期刊为核心期刊,《物理》被列为物理类核心期刊. 近年来《物理》的出版质量及内容质量都有稳步的提高,这次被列入中文物理类核心期刊更充分说明了《物理》的进步.在此,我们衷心感谢广大读者和作者长期以来对《物理》的关心和支持!欢迎大家继续踊跃投稿并订阅《物理》! 《物理》编辑部 2000年10月     

基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用

随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm^2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10^7的高开关比。同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性。实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性。最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益。