高温氧压单晶炉

许多氧化物单晶的生长都需要很高的温度和高于大气压的氧气氛。通常作为高温炉发热体的石墨、钼、钨等只能在还原性气氛中工作。而当炉温超过1650℃时,碳化硅、二硅化铝等发热体也都会迅速氧化损坏。如果用还原性气氛保护石墨发热体,而在生长单晶的炉膛空间中充以氧气,正如文献[1]的作法,则设备较为复杂而且操作有危险。     

水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶

制备低位错砷化镓单晶的工作1971年已有报道。近年来,我们研究用平水区熔法制备低位错砷化镓单晶的工艺。目前可使砷化镓晶体中的位错密度基本控制在100厘米~(-2)的数量级。     

部分相干圆刃型位错光束在生物组织中的偏振特性

以推导的在生物组织中部分相干圆刃型位错光束传输时的交叉谱密度矩阵元,研究了传输中不同光束参数(光束波长λ、位错数目n_dis、空间自相关长度σ_yy)对不同场点之间偏振特性的影响。部分相干圆刃型位错光束波长和位错数目不影响偏振态的初始值,而不同空间自相关长度的光束初始偏振态不同。随着传输距离增加,空间同一点的偏振态经历明显的起伏变化后最终趋于与源处一致,空间不同两点间的偏振态最终趋于一不同于初始值的定值。与远红外光和紫外光相比,可见光和近红外光更适合作为生物医学疾病诊疗的目标光束。位错数目越大,各偏振特征参量极值间距越大。空间自相关长度σ_yy与σ_xx的相对大小会影响偏振度的大小及变化趋势。     

掺铟的铋钙钒石榴石铁氧体单晶生长与磁性

用助熔剂法生长了石榴石型铁氧体(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂)单晶,成分为x=1.35±0.02,y=0—0.388。采用本文所述工艺,对不同掺铟量的材料都长出了线度在10毫米以上的包容物很少的单晶。这个系列的单晶材料和Ga-YIG相比居里温度要高10—30℃;磁晶各向异性常数随非磁性离子铟的代入量的增加而很快下降;各向异性场随饱和磁化强度的降低开始略有下降,而后缓慢增加,饱和磁化强度在530—200高斯范围,各向异性场都在40奥以下;X波段共振线宽随饱和磁化强度的降低而增加,似乎存在着与偶极致窄相联系的损耗机构,在上述饱和磁化强度范围,线宽为1—4奥。目前获得的最好材料其磁晶各向异性场为16奥,线宽0.7奥。这些结果表明,这个系列的材料适用于低微波频率单晶器件。     

氢化与氟化五边形石墨烯双层电子性能调控的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了氢化、氟化及氢氟化五边形石墨烯双层对其电子性能的调控.计算结果表明,氢化和氟化的五边形石墨烯双层可分别在价带顶及导带底形成局域的电子态而显著降低带隙.基于这一特性,我们进一步研究氢氟化的五边形石墨烯双层结构对电子能带的影响,并且发现通过调控氢氟化覆盖度能够有效调节带隙,进而实现五边形石墨烯双层从半导体到金属态的转变.