绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

电场作用下苏氨酸的电流特性研究

制备了以液态苏氨酸为沟道材料的四端有机场效应晶体管,观测了其随着栅极电压的不同呈现出源漏两极之间不同的电学特异现象;还观测了苏氨酸在外电场作用下,阻抗随着源漏之间电压频率变化的关系,提出一个极性液体模型解释了其导电机理。     

用纳米拟薄水铝石溶胶凝胶方法制备YAG∶Ce白光二极管荧光体

用纳米拟薄水铝石颗粒的胶溶的改进溶胶-凝胶法制备了亚微米尺度的YAG∶Ce荧光体。实验发现,在1000℃干凝胶粉开始出现YAG相,在相对较低的1400℃灼烧温度下得到纯相。由于纳米尺度氧化铝颗粒的籽晶成核效应对制备各步骤的贡献,得到在1~3μm之间的较小的荧光体颗粒。在1400℃下得到的荧光体的激发和发射光谱均符合与白光二极管的荧光体的光谱要求。     

纳米木质素/二氧化硅基微胶囊的制备及在自愈合涂层中的应用

利用磷酸化改性木质素/二氧化硅复合纳米颗粒(PAL/SiO₂)作为壁材包埋活性组分异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)制备微胶囊(PAL/SiO₂-IPDI). 通过加入少量反应活性更高的聚合多甲基多二异氰酸酯(PMDI), 与水反应形成聚脲, 以增加微胶囊的壁厚. 采用光学显微镜、 扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度分析仪(DLS)研究了PAL/SiO₂复合纳米粒子掺杂量, 水油比和剪切速率对微胶囊表面形貌、 粒径和壁厚的影响. 结果表明, 所制备的微胶囊呈现规整球形, 壁厚为2.36~3.50 μm, 平均粒径为40.3~201.5 μm. IPDI作为芯材包埋在微胶囊中, 芯材含量约为82.8%. 将制备的PAL/SiO₂-IPDI微胶囊添加到环氧树脂中得到自愈合环氧树脂涂层. 其在高盐浓度溶液中的抗侵蚀测试结果显示, 添加质量分数4%的PAL/SiO₂-IPDI微胶囊的环氧树脂涂层在划破后能够快速愈合, 显著降低基底的腐蚀电流和腐蚀速率. 纳米压痕实验表明, 环氧涂层的硬度为249.99 MPa, 而添加PAL/SiO₂-IPDI微胶囊后硬度增加到302.98 MPa, 弹性模量也有提高.     

高等数学教学改革研究进展

通过分析国内外高等数学教学改革研究历史与现状,阐明21世纪高等数学课程地位、作用和价值,及与21世纪相适应的高等数学教学改革意义、方向与方法.并结合个人教学实践分析、总结了具有代表性的高等数学教学理念、教学内容与课程体系、实践教学、计算机技术应用等方面改革成果与经验.最后对高等数学教学改革的继续深入和目前存在问题提出一些观点.     

双[4-(2,4-二特戊基苯氧基)邻苯二腈铜]LB膜材料的合成

近年来,随着LB膜研究的进展,成膜材料的种类逐渐增多、其中有关酞菁衍生物LB膜材料的报道较多。本文合成了下述新型结构的化合物:     

有机电致发光器件量子效率测量系统的建立及其应用研究

有机电致发光器件（OLED）的量子效率是衡量器件发光性能的一个非常重要的参数，考虑到提高OLED量子效应的基本前提是能精确测得器件的量子效率。本文工作采用美国Keithley公司的系列产品，设计与组建了一套精确测量OLED量子效率的测量系统（主要由真空系统和测试系统组成）。应用本系统测量时，由测量软件通过数据采集卡来实时地对K－2400（稳压源）和K－485（微检流计）进行控制，得到流经器件的电流和器件输的光电流，再经过换算得出注入器件的电子数和从器件输出的光子数，从而能够得到器件的量子效率值，最后由计算机动态地绘制出器件的性能曲线。此外，我们还利用本测量系统对以MEH－PPV为基质的橙红色OLED进行测量，该测试样品在0.0117A/cm^2的电流密度下，测量量子效率为0．39％。     

具有阻尼的半线性波动方程解的衰减估计

研究具有阻尼的半线性波动方程的初边值问题u_(tt)-△u+βu_t=|u|~(p-1)u,x∈Ω,t>0u(x,0)=u_0(x),u_t(x,0)=u_1(x),x∈Ωu|_((?)Ω)=0,t≥0其中γ为正常数,Ω■R~n为有界域,当n≥3时,1相似文献   

柔性衬底白色有机电致发光器件的制备及其性能

采用以ITO为导电层的柔性透明PET基片作为衬底,以2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ),)作为发光层制备出结构为PET／ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2／Al明亮的近白色柔性有机小分子电致发光器件。发光的色坐标值为x=0．242,y=0．359,在25V的直流电压驱动下,亮度为1000cd／m^2,量子效率达到了0．30％。并进一步在Zn(BTZ)2中掺入橙红色染料Rubrene,制成PET／ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2：Rubrene／Al结构器件。实现了纯白色发光(色坐标值：x=0．339,y=0．339),非常接近于白色等能点,驱动电压为25V时器件的亮度达1200cd／m^2,且量子效率达0．35％。最后对器件的发光性能及机理进行了深入的研究和探讨。     

Highly Efficient Simplified Organic Light-Emitting Diodes Utilizing F4-TCNQ as an Anode Buffer Layer

We demonstrate that the electroluminescent performances of organic light-emitting diodes （OLEDs） are significantly improved by evaporating a thin F4-TCNQ film as an anode buffer layer on the ITO anode. The optimum Alq3-based OLEDs with F4-TCNQ buffer layer exhibit a lower turn-on voltage of 2.6 V, a higher brightness of 39820cd/m^2 at 13 V, and a higher current efficiency of 5.96cd/A at 6 V, which are obviously superior to those of the conventional device （turn-on voltage of 4.1 V, brightness of 18230cd/m^2 at 13 V, and maximum current efficiency of 2.74calla at 10 V）. Furthermore, the buffered devices with F4-TCNQ as the buffer layer could not only increase the efficiency but also simplify the fabrication process compared with the p-doped devices in which F4-TCNQ is doped into β-NPB as p-HTL （3.11 cd/A at 7 V）. The reason why the current efficiency of the p-doped devices is lower than that of the buffered devices is analyzed based on the concept of doping, the measurement of absorption and photoluminescence spectra of the organic materials, and the current density-voltage characteristics of the corresponding hole-only devices.