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1.
本文通过引入与τ_(T,L)协调的实数与分布函数的⊙_L乘法,修正了τ_(T,L)型PN空间的定义,讨论了这类PN空间的线性拓扑,证明了一定条件下的可赋可列拟范性。 一、引言 为了节省篇幅,我们不加说明地沿用[1]的术语和符号。 Serstnev首先提出了概率赋范(简称PN)空间的概念。三元组(V,v,τ)称为PN空 相似文献
2.
3.
齐型空间上的分数次极大算子的加权弱型不等式 总被引:2,自引:0,他引:2
设(X,d,μ)是 Coifman-Weiss 意义下的齐型空间,0≤α<1.定义 α阶分数次极大算子(?)~αf(x,t)=(?)1/(μ(B(x,r))~(1-α))∫_(B(x,r))|f(y)|dy.本文的目的有二:其一是将[3]、[4]中关于(?)~α 的加权弱型结果推广到齐型空间;其二是对限制增长的 Young′s 函数Φ,得到(?)~α 的弱型加权 Φ-不等式. 相似文献
4.
5.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
6.
7.
电场对水结构的影响—电场处理水的应用机理研究 总被引:21,自引:0,他引:21
水经电场作用后,能使其内部结构发生变化,造成它的理化特性出现一系列改变,根据所提供的实验数据,提出电场可引起部分水分子的氢氧键断裂,使水中出现过量的超氧阴离子自由基,过氧化氢及自由质子,这一结论可满意地解释如下现象:用电处理水喂养纤毛虫,其分裂速度加快;受电场刺激的鱼胚胎,其孵化率,存活率明显提高,其后期生长速度加快等。 相似文献
8.
以金刚石压腔高压装置为工具,用Ⅱ型金刚石作压砧兼红外窗口,对本征态聚苯胺进行了高压(0~8.4 GPa)就位红外光谱测试。结果表明:在4.8~5.2 GPa压力区间,代表醌环振动的吸收峰相对代表苯环振动的吸收峰变小,表明聚苯胺在此压力区间结构上发生了显著变化,且这种变化是不可逆的。聚苯胺的高压(0~14.5 GPa)电阻测量结果表明:当压力小于7.5 GPa时,电阻随压力升高而显著降低,据此认为聚苯胺为电子性导电物质;在7.5 GPa处电阻出现极小值,然后又缓慢升高,至10 GPa后基本不变。推测聚苯胺电阻极小值是由结构变化引起的。至于红外光谱与电阻测量结果反映聚苯胺结构变化的压力值不一致,可能是由于测试条件不同所致。 相似文献
9.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献
10.
lllner模型是最一般的Boltzmann方程的两速模型,它包括Carleman模型和McKean模型作为两种特殊情形。离散lllner模型1+1维精确能够以一种简洁的方式进行研究,前人的结论需要修正。我们得到了一类新的1+1维精确解,这给出了研究类似的离散Bolzmann方程精确行波解的一般方法。 相似文献