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21世纪初,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸将由150nm逐代缩至50nm。文章以100nmULSI器件为主,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题,其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质。 相似文献
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Composition dependence of quaternary CuIn1-x GaxSe2 films on Ga content has been systematically investigated by Raman scattering. The dominant A1 mode shifts from 174cm^-1 for CuInSe2 to 185cm^-1 for CuGaSe2 in an approximately polynomial curve other than a linear curve, indicating existence of asymmetric distribution of Ga and In on a microscopic scale in films. With Ga content x 〉 0.3, the significantly broadening and intensity decrease of A1 modes suggest the degradation of crystalline quality of chalcopyrite phase. Additionally, the quenching of additional Raman band at 183cm^-1 for the Ga-rich films reveals that CuAu-ordered phase can coexist in nominal chalcopyrite CuInSe2 films but not in CuGaSe2, due to Ga inhibition effect. 相似文献
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用电泳法制备了一系列ZnxMg1 -xO薄膜 .对ZnxMg1 -xO薄膜的光致发光研究表明 ,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰 ,分别对应自由激子和激子间碰撞的发光 .在可见光区域 ,发射谱的强度基本保持恒定 ,没有发现通常报道的绿光发射 ,说明生长的薄膜中氧与其他元素保持很好的化学配比 ,抑制了基于氧空位的绿带发射机理 .另一方面 ,薄膜成分中Mg含量的变化和退火温度的变化对薄膜的发射谱有显著的影响 ,表现在ZnxMg1 -xO的紫外发射峰随Mg含量的增加向短波方向移动 ,同时峰强度随退火温度的升高显著增加 相似文献
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镨和铕离子注入硅的快速热退火研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用离子注入技术将稀土Pr和Eu离子引入外延硅片中,经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Pr离子注入样品,在较低温度940℃下退火,样品具有电子导电性,注入离子起施主作用,而在较高强度1240℃下退火,则具有穴穴导电性,注入离子起受主作用,即有两种导电行为。 相似文献
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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化 总被引:2,自引:0,他引:2
21世纪初,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸将由150hm逐代缩至50nm.文章以100nmULSI器件为主,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题,其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质. 相似文献
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用电泳法制备了一系列ZnxMg1-xO薄膜. 对ZnxMg1-xO薄膜的光致发光研究表明,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰,分别对应自由激子和激子间碰撞的发光. 在可见光区域,发射谱的强度基本保持恒定,没有发现通常报道的绿光发射,说明生长的薄膜中氧与其他元素保持很好的 化学配比,抑制了基于氧空位的绿带发射机理. 另一方面,薄膜成分中Mg含量的变化和退火 温度的变化对薄膜的发射谱有显著的影响,表现在ZnxMg1-xO的紫 外发射峰随Mg含量的增加向短波方向移动,同时峰强度随退火温度的升高显著增加.
关键词:
发射谱
x射线衍射
电泳法
ZnMgO薄膜 相似文献
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随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 . 相似文献