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UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析 总被引：6，自引：0，他引：6
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV／CVD设备生长的,其中两个样品还与X－射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的,这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0．5um 沟长器件,跨导达112ms.mm^-1。 相似文献
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