全文获取类型
收费全文 | 300篇 |
免费 | 116篇 |
国内免费 | 144篇 |
专业分类
化学 | 162篇 |
晶体学 | 13篇 |
力学 | 15篇 |
综合类 | 6篇 |
数学 | 29篇 |
物理学 | 335篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 22篇 |
2013年 | 32篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 21篇 |
2010年 | 22篇 |
2009年 | 28篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 38篇 |
2006年 | 23篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 30篇 |
2003年 | 30篇 |
2002年 | 24篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 11篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 18篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 7篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
排序方式: 共有560条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
2.
为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件,从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构,研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为:下介电层/记录层/上介电层/反射层的厚度对于台记录为100nm/10nm/25nm,/60nm,而对于槽记录则为140nm/15nm/30nm,/60nm,槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。 相似文献
3.
北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)要求其直线注入器提供更高的能量和流强, 为此必须设计大电流和小发射度的新电子枪, 以提高正电子的产额. 利用ANSYS对BEPCⅡ新电子枪的温度场分布及结构的热变形进行了模拟分析. 对于电子枪复杂的内部结构形态以及能量转换方式, 分析了传导传热方式对温度场的影响. 在此基础上进行了温度场与结构变形的耦合分析, 利用EGUN对电子枪形变前后束流光学特性进行模拟分析, 并对模拟结果与试验
测试结果进行了分析比较. 相似文献
4.
研究了结晶度对Ag11In12Te26Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化,改变晶化参量得到不同的结晶度,当转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数先是增大,而后减小;当激光功率固定时,随转速的增大,折射率也随之增大,消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化(包括晶型的转变和原子间键合状态的变化)以及薄膜内残余应力的影响Ag11In12Te26Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD-RW相变光盘中Ag11In12Te26Sb51薄膜非晶态和晶态的反射率。 相似文献
5.
6.
采用低温熔融法制备了有机染料芪3掺杂的不同浓度的铅-锡-氟磷酸盐玻璃,通过对掺杂玻璃激发光谱、发射光谱和吸收光谱的测试,研究了芪3在无机玻璃中的聚集状态和光谱性能。 结果表明,有机染料芪3以单体和二聚物的形式共存于无机玻璃中,和芪3单体分子的激发峰相比,二聚物的激发峰位于短波段,随掺杂浓度的增加,掺杂玻璃的发射峰发生红移,同时在荧光光谱中观察到浓度猝灭现象;芪3分子与无机玻璃通过亲水作用发生了键合,从而导致芪3在无机玻璃中的吸收光谱和发射光谱比在乙醇溶液中出现较大红移;与芪3在乙醇溶液中的荧光强度相比,芪3分子受无机玻璃的“笼”化作用有效的提高了其荧光强度。 相似文献
7.
8.
In this paper, we discuss the phase-change recording at a short-wavelength (514nm) and a high numerical aperture (0.85). Effects
of recording power and pulse width on the size of the recording
marks are studied. The minimum recording mark with a length of
approximately 220nm has been observed. The capacity of about 17GB
for a single-layer disc of a 12cm diameter can be obtained. The
maximum carrier-to-noise ratio reaches 45dB at a writing power of 13--14mW. 相似文献
10.