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利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮（NCZ）和不含氮（CZ）直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明，NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小，并有冲出型位错产生.而在CZ中，生成了大量的多面体氧沉淀，并且随着热氧化时间的延长，层错的尺寸逐渐增大. 关键词： 直拉硅 透射电镜 氧化诱生层错  相似文献   
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