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镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析 总被引:3,自引:2,他引:1
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920 ℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。 相似文献
4.
采用飞秒荧光上转换技术,研究了阴阳离子菁染料及对应的阴离子和阳离子菁染料吸附在立方型和T型溴碘化银表面上形成J-聚集体的荧光衰减时间分辨特性,分析了几种菁染料增感体系的超快电子转移动力学过程及其对增感效率的影响.通过比较几种菁染料增感体系的荧光衰减特性,两种阴阳离子染料要明显快于阴离子染料、阳离子染料及二者的加合,说明阴阳离子染料聚集体到溴碘化银的电子注入速率较快,增感效果更好.对两种阴阳离子染料聚集体荧光衰减特性的比较,可以看出染料在T型颗粒溴碘化银上形成聚集体的荧光寿命更短,因而对T型颗粒的增感效果更好.染料Dye2的荧光衰减要快于染料Dye1,说明染料Dye2到溴碘化银的电子注入速率更快,增感效率更高. 相似文献
5.
Spectral feature with sub-natural linewidth due to quantum interference in a four-level system
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This paper studies the narrow spectral feature appearing in a four-level system coupled by two strong coherent fields and probed by a weak laser field. The linewidth is examined as a function of the Rabi frequencies of coupling fields, and the result is explained by using the dressed-state formalism. 相似文献
6.
本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO2激光诱发的SiH4等离子体内H Balmer系的Hα,Hσ和Hγ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ1/2(Hα)<△λ1/2(Hβ)<△λ1/2(Hγ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由Hα线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈1017cm-3,电子温度T≈40 000K。由Hβ线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。
关键词: 相似文献
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9.
光扇效应对Ce:KNSBN记录偏振组态的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
在非同时读出条件下 ,采用Ar+ 5 14 .5nm单色激光为光源。以信号光为非寻常偏振光 (e光 ) ,通过改变抽运光的偏振态 ,研究不同写入光偏振组态下Ce∶KNSBN晶体的两波耦合特性。结果表明 :由于光扇效应的影响 ,信号光和抽运光同为e光时并非如预测的那样为最佳记录偏振组态。在信号光和抽运光与晶体表面法线呈θ =11°角对称入射下 ,当抽运光的偏振方向与e光偏振方向呈 30°角时 ,光扇噪声得到明显抑制 ,两波耦合增益最大。其原因是抽运光的o光分量对光扇散射光起到了非相干擦除 ,使两波有效耦合得到提高。 相似文献
10.
以poly(3-hexylthiophene)(P3HT)为电子给体材料,[6,6]-phenyl-C60-butyric acid methyl ester (PCBM)为电子受体材料,制备了纯氯苯(CB)溶剂、纯氯仿(CF)溶剂和氯苯/氯仿(CB/CF)不同比例混合溶剂的共混体系太阳能电池.研究了不同溶剂及不同比例混合的混合溶剂对电池性能的影响.结果表明:以CB/CF(3/1)为溶剂制备的器件,紫外可见吸收光谱和器件外量子效率曲线显示出红移现象,原子力显微图表明P3HT和PCBM间形成良好的相分离结构.在100 mW/cm2强度光照射下,其开路电压Voc为0.61 V短路电流密度Jsc为9mA/cm2,填充因子FF为57.9%,能量转换效率PCE为3.2%. 相似文献