采用二叉树编码的遗传算法实现数据似合

针对采用数值分析方法进行数据似合求解复杂度高、运算最大而精度较低的缺陷，本给出一种基于二叉树编码的遗传算法来进行数据拟合，取得了较好的效果。     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

Kronecker引理的推广与随机变量部分和的a.s.稳定性

本文给出了Kronecker 引理的一种推广形式,在一定范围改进了L.G.Drighicescu 的结果,并将之用于研究随机变量部分和的a.s.稳定性。     

Na2SnO3系催化剂在甲烷氧化偶联反应中的催化性能及表面碱性的探讨

1982年Keller和Bhasin以金属氧化物为催化剂从甲烷制得少量乙烯和乙烷的工作引起了各国研究工作者的重视,此后报道了许多有研究价值的催化剂,其中添加碱金属对提高催化性能所起的作用引起了普遍的关注.Lunsford等首先用添加Li~+的MgO作催化剂,发现催化剂表面碱性增强的同时,生成C_2烃类产物的选择性明显增加.随后Iwamatu等在MgO中添加Na~+及Rb~+盐,Jones等在Mn~(4+)/SiO_2中添加Na~+,Otsuka等在Sm_2O_3中添加LiCl作为甲烷氧化偶联催化剂进行了研究,这些结果均表明,因添加碱金属使催化剂呈现     

用人工神经网络处理谷物成分分析

本文用人工神经网络处理谷物的付立叶变换近红外漫反射光谱,对谷物中含量在10~(-1)～10~(-3)的蛋白质、脂肪和6种人体必需氨基酸定量分析数据进行了解析,分析结果与经典化学方法没有系统偏差,且优于逐步回归分析法的结果。     

甲醇选择氧化MoO3—TiO2催化剂的研究

用XRD、LRS、ESR、XPS等方法对机械混合物焙烧法制备的两组MoO_3—TiO_2催化剂进行了表征,同时考察了催化剂的甲醇选择氧化活性和选择性。结果表明:MoO_3与TiO_2机械混合物在450℃焙烧过程中发生TiO_2中锐钛矿转变成金红石的相变,但若将TiO_2在空气中550℃预处理8h后再与MoO_3混合焙烧则未观察到相变的发生。在上述两组催化剂中都发生了MoO_3在TiO_2表面的分散。当MoO_3含量小于10wt％时,MoO_3晶相消失,钼以表面钼氧物种存在。MoO_3与TiO_2之间的强相互作用导致Mo(Ⅴ)的生成和pKa≤+3.3的表面酸位的产生。TiO_2晶型对催化剂表面结构及反应活性有明显影响,锐钛矿转变为金红石使最佳反应温度提高20～40℃,Mo在表面富集程度增大,而Mo(Ⅴ)和表面酸位浓度下降。表面Mo(Ⅴ)和高分散于表面的八面体配位钼氧物种可能是甲醇氧化的活性位。