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利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;nTe,s~(2~15)×1017cm-3;μn~(86~134)cm2/sv;位错密度(1~4)×104cm-2。  相似文献   
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