基于SOS的脉冲功率源技术新进展

 研制了基于SOS的胡杨200和胡杨700脉冲功率源。给出了胡杨200和胡杨700的电路原理、组成结构和实验波形。介绍了在SOS脉冲功率源上开展的高重复频率强流电子束产生、长寿命阴极实验、绝缘介质的高重复频率击穿实验和低引导磁场无箔二极管等实验研究进展。经测试，胡杨200在2 kHz重复频率、负载阻抗200 Ω下，输出电压200 kV，脉冲宽度约35 ns，平均输出功率大于10 kW；在300 Hz条件下可连续运行。胡杨700同样为全固态脉冲功率源，其设计指标:输出电压700 kV，电流5 kA，脉冲宽度约40 ns；经初步调试在150 Ω电阻负载上单脉冲输出指标达到660 kV，4.4 kA，脉宽约70 ns。     

中考试题我来编——激发学生的良性应激

对考生来说,在考场上有限的时间内,保持适当的压力是极有益处的,适当的压力会带来"有能力对付"的应激的积极形势.从脑科学来说,在这种适当的应激下,身体会释放出注入肾上腺素和去甲肾上腺素来增加知觉和动机,而这些都是促进学习的物质.《基础教育课程改革纲要(试行)》明确提出:"建立促进学生全面发展的评价体系.评价不仅要关注学生的学业成绩,而且要发现和发展学生多方面的     

大面积均匀电子束产生实验研究

 在电子束泵浦气体激光实验中,大面积均匀电子束是获得高效能激光输出的必要条件。介绍了利用SPG-200脉冲功率源产生大面积均匀电子束的实验。SPG-200是基于SOS的全固态重复频率脉冲功率源,其开路电压大于350 kV。用于产生电子束的真空二极管阴极长294 mm,宽24 mm,两端均为半径为12 mm的半圆,栅网平面为阳极面,两者之间的距离在0~49 mm可调,阴极发射的电子束通过用于隔离激光气室和二极管真空室的压力膜及其支撑栅网引出。分别以石墨和天鹅绒为阴极材料,获得了大面积电子束输出,给出了二极管参数的测量结果,并对电子束发射均匀性进行了诊断。实验结果表明：在阴极材料为石墨、阴阳极间隙为5~9 mm时,二极管电压为240~280 kV,二极管电流为0.7~1.8 kA,输出的电子束很不均匀;在阴极材料为天鹅绒、阴阳极间隙为31~46 mm时,二极管电压为200~250 kV,二极管电流为1.5~1.7 kA,输出的电子束均匀性较好。     

岩溶地下水中溶解性有机碳测定方法的探讨

总有机碳(TOC)是以碳的含量来表示环境水体中有机物总量的综合指标,是反映水体受污染程度的重要指标。溶解性有机碳(DOC)是总有机碳的一种,通常定义为通过一定孔径(0.22～0.7μm)的滤膜后,水质中所含有机碳的含量[1]。水体中DOC的存在形式主要有溶解态、胶体态和少量较小     

电场调控下不对称耦合量子点中激子的发光特性

使用有效质量模型,从理论上对GaAs/A10.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响.研究发现:不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象,反交处的能级分裂值和临界电...     

高选择性的镍基无酶葡萄糖微传感器的研制及应用

采用电刻蚀法制得微镍电极,通过循环伏安法在微镍电极上修饰过氧化聚吡咯膜,利用葡萄糖在碱性条件下在该修饰电极上的电催化氧化性质,制备了新型的抗干扰的无酶葡萄糖微传感器;研究了其电化学氧化机理,在较低的碱性(pH=12.0)和较低的氧化电位( 0.47 V)条件下,微镍修饰电极上产生的Ni(Ⅲ)能直接将葡萄糖氧化为葡萄糖酸内酯,产生的安培响应与葡萄糖浓度在5.0×10-6 ～1.1×10-3 mol/L范围内呈线性关系;检出限为2.4×10-6 mol/L.该微传感器灵敏度高(30.4 nA/μM)、选择性好(20倍AA和UA不干扰)、响应快(小于3 s)、重现性好,而且制作简单、使用方便,已用于流动注射分析(FIA)测定血清中血糖含量.     

新型磁性纳米金修饰过氧化氢生物传感器的研制

利用共沉淀法合成纳米Fe3O4颗粒,将半胱氨酸吸附到纳米Fe3O4微粒表面,借助半胱氨酸的巯基(-SH)对纳米金的强烈吸附,使纳米金自组装到磁性颗粒上,再通过静电吸附作用自组装辣根过氧化酶(HRP),合成了Fe3O4/Cys/Au/HRP纳米复合粒子,最后通过磁力将其修饰到固体石蜡碳糊电极表面,制得新型过氧化氢生物传感器.以对苯二酚作为电子媒介,用计时电流法对H2O2进行测定,线性范围为2.4 X10-3～6.0×10-6mol/L,检出限(S/N=3)为2.5 X 10-6mol/L,响应时间小于10 s.磁性纳米微粒Fe3O4/Cys/Au能够高效地保持HRP的生物活性.该新型传感器已用于实际样品测定.     

邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示，低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移，高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期，原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后，台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在，在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累，而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒，台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响，将明显提高达到台阶生长模式的温度. 关键词： 外延生长模式 动力学Monte Carlo Ehrlich-Schwoebel势垒     

环形磁芯快脉冲动态参数测量方法

 磁开关压缩脉冲过程中，磁芯磁参数需历经非饱和与饱和两个阶段，磁滞回线变化经历半个周期，通过测量这一变化过程中通过磁开关绕组的电流和磁通量变化率，可以计算出磁芯的磁滞回线，确定饱和磁通密度、剩磁等动态参数。 讨论了基于高电压放电和脉冲压缩方法测量磁芯动态参数的原理，给出了测试装置的电路原理和电路元件参数的选择方法，测量了大型磁开关磁芯快脉冲条件下的电参数，计算了相关的磁参数，给出了实验结果。     

极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制

采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/Al_xGa_1-xN量子阱居里温度(T_C)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况，并在此基础上确定量子阱内Mn δ掺杂情况下T_C随内建电场的变化趋势，分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对T_C的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到T_C近3倍的增长. 关键词： GaN 量子阱 内建电场 居里温度