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1
1.
Ta2O5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响
总被引:4,自引:3,他引:1
周帆
张良
李俊
张小文
林华平
俞东斌
蒋雪茵
张志林
《发光学报》
2011,32(2):188-193
报道了不同厚度TaO5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响.在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件.从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,...
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